circona modificada para requisitos particulares ZrO2 Rod de cerámica de la buena calidad 8Y-ZrO2
1.ZrO2 Rod Technical Data de cerámica
Propiedades de cerámica de PSZ | ||
PROPIEDADES |
Unidad | Circona de cerámica |
Al2O3(ZrO2) Contenido | % peso | ≥ 94 |
Densidad |
G /CM3 |
6,00 |
Dureza (HRA) | ≥ de HRA | 90 |
Fuerza flexural | ≥ del MPa | 800 |
Temperatura máxima del uso | ℃ | 1000 |
Gas-tirantez | Paso | |
Resistencia de choque termal | Paso | |
Coeficientes. del exp termal. | ×10-6/℃ | 10,0 |
Resistencia de volumen | Ω·cm 20℃ | 1014 |
Fuerza dieléctrica | KV/mm, DC≥ | 20 |
Resistencia ácida | mg/cm2≤ | 2,0 |
Resistencia del álcali | mg/cm2≤ | 0,08 |
Capacidad del desgaste | g/cm2≤ | 0,05 |
Fuerza compresiva | ≥ de M Pa | 2000 |
Resistencia a la tensión | ≥ de M Pa | 600 |
Módulo de elástico (joven) | PA de G | 320 |
Conductividad termal | W/m·K (20℃) | 2,6 |
Propiedades de cerámica de Y-FSZ |
||
Contenido químico | ZrO2 | 86 % peso |
Y2O3 | 14 % peso | |
Propiedades físicas |
Punto de fusión | ≥2500℃ |
Temperatura de funcionamiento del máximo | 2200℃ | |
Color | Blanco | |
Densidad | los 5.8g/cm3 | |
Propiedades mecánicas | Fuerza flexural | 200MPa |
Módulo de Young | 200GPa | |
Dureza (HRA) | 86 | |
Propiedades termales | Coeficiente de la extensión termal (20℃) | 8-10X10-6 |
Conductividad termal | 1-2W/mk | |
Propiedades eléctricas | Constante dieléctrica (1MHz25℃) | 12 |
Resistencia eléctrica (25℃) | 109 |
Uso:
Decices electrónicos del vacío, Cruibles, placas del aislamiento, condensadores, vuelos espaciales, tráfico,
Armadura, Petro Chemical, mina, ingeniería farmacéutica, ingeniería de comunicación
y Archtectural, etc.
Nuestra fábrica de cooperación puede aplicó el proceso de la bastidor-cinta para la fabricación de
substrato del alúmina. Con buena conductividad termal, aislamiento, resistencia de choque termal,
resistencia y antiácido bien y
el álcali etc., nuestros substratos de cerámica se puede utilizar en los circuitos integrados híbridos de la grueso-película (HIC),
Base de cerámica de la radiación del LED, módulo de poder, dispositivos de semiconductor y otros campos.
Aplicamos el proceso de la bastidor-cinta para la fabricación del substrato del alúmina.
Con buena conductividad termal, aislamiento, resistencia de choque termal, resistencia bien y
el antiacido y el álcali etc., nuestros substratos de cerámica se pueden utilizar en el híbrido de la grueso-película integrado
circuitos (HIC), base de cerámica de la radiación del LED, módulo de poder, dispositivos de semiconductor y otros campos.
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