Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Número de modelo: 10x10m m
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: en los casetes de solos envases de la oblea
Tiempo de entrega: Dentro de 15days
Capacidad de la fuente: 5000e
Materiales: |
cristal sic solo |
industria: |
oblea de semiconductor, |
Aplicaciones: |
dispositivo, oblea epi-lista, 5G, electrónica de poder, detector, |
color: |
verde, azul, blanco |
Personalizado: |
AUTORIZACIÓN |
Tipo: |
4H-N, 6H-N |
Materiales: |
cristal sic solo |
industria: |
oblea de semiconductor, |
Aplicaciones: |
dispositivo, oblea epi-lista, 5G, electrónica de poder, detector, |
color: |
verde, azul, blanco |
Personalizado: |
AUTORIZACIÓN |
Tipo: |
4H-N, 6H-N |
10x10m m 5x5m m modificaron sic los substratos para requisitos particulares cuadrados, 1inch sic obleas, microprocesadores sic cristalinos, sic substratos del semiconductor, 6H-N SIC oblea, oblea del carburo de silicio de la pureza elevada
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ofrecemos los materiales del semiconductor, especialmente para sic la oblea, sic el subestado del polytype 4H y 6H en diversos grados de calidad para los fabricantes del investigador y de la industria. Tenemos una buena relación con la fábrica del crecimiento sic cristalino y, poseemos también tenemos sic la tecnología de proceso de la oblea, establecida una cadena de producción al substrato del fabricante sic y sic oblea. Como dedican a una compañía profesional invertida por los fabricantes principales de los campos de los institutos materiales avanzados y de alta tecnología de la investigación y del estado y del laboratorio del semiconductor de China, nosotros para mejorar continuamente la calidad sic de la oblea, actualmente subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
Áreas de aplicación
1 diodo de Schottky de los dispositivos electrónicos el de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN,
diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED
Advantagement
• Unión mal hecha baja del enrejado• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda
tamaño común 2inch para sic los substratos
| especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic) | ||||||||||
| Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||||||
| Diámetro | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
| Grueso | 330 μm±25μm o 430±25um o 1000um±25um | |||||||||
| Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001>±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidad de Micropipe | cm2s ≤0 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤100 | ||||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Plano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Longitud plana primaria | 18,5 mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Longitud plana secundaria | 10.0mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | |||||||||
| Exclusión del borde | 1 milímetro | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||||
| Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | |||||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤3% | |||||||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | |||||||
| Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |||||||
| microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | |||||||
tamaño de imagen: 10x10x0.5mmt,
tolerancia: ±0.03mm
anchura de la profundidad x del partido: 0.4mmx0.5m m
TIPO: 4H-semi
superficie: pulido (ssp o dsp)
Ra: 0.5nm
1. Q: ¿Cuál es su paquete? ¿Son seguros?
A: proporcionamos la caja automática de la película de la adsorción como paquete.
2.Q: ¿Cuál es su término del pago?
A: Nuestro término del pago es T/T el 50% por adelantado, el 50% antes de entrega.
3.Q: ¿Cómo puedo conseguir algunas muestras?
A: Becauce modificó productos de la forma para requisitos particulares, nosotros espera que usted puede pedir la porción mínima como muestra.
4.Q: ¿Cuánto tiempo tiempo podemos conseguir las muestras?
A: Enviamos las muestras en 10 - 25 días después de que usted confirma.
5.Q: ¿Cómo su fábrica hace con respecto a control de calidad?
A: La calidad primero es nuestro lema, importancia de la fijación de los trabajadores siempre gran para la calidad que controla de
el mismo principio al final.
