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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Unión mal hecha baja modificada para requisitos particulares del enrejado del microprocesador del cuadrado del tamaño sic con arriba termal
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Unión mal hecha baja modificada para requisitos particulares del enrejado del microprocesador del cuadrado del tamaño sic con arriba termal

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmsh
Número de modelo 10x10m m
Detalles del producto
Materiales:
cristal sic solo
industria:
oblea de semiconductor,
Aplicaciones:
dispositivo, oblea epi-lista, 5G, electrónica de poder, detector,
color:
verde, azul, blanco
Personalizado:
AUTORIZACIÓN
Tipo:
4H-N, 6H-N
Alta luz: 

sic oblea

,

sic substrato

Descripción de producto

10x10m m 5x5m m modificaron sic los substratos para requisitos particulares cuadrados, 1inch sic obleas, microprocesadores sic cristalinos, sic substratos del semiconductor, 6H-N SIC oblea, oblea del carburo de silicio de la pureza elevada
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ofrecemos los materiales del semiconductor, especialmente para sic la oblea, sic el subestado del polytype 4H y 6H en diversos grados de calidad para los fabricantes del investigador y de la industria. Tenemos una buena relación con la fábrica del crecimiento sic cristalino y, poseemos también tenemos sic la tecnología de proceso de la oblea, establecida una cadena de producción al substrato del fabricante sic y sic oblea. Como dedican a una compañía profesional invertida por los fabricantes principales de los campos de los institutos materiales avanzados y de alta tecnología de la investigación y del estado y del laboratorio del semiconductor de China, nosotros para mejorar continuamente la calidad sic de la oblea, actualmente subestados y para desarrollar los substratos de gran tamaño.
 
Áreas de aplicación
1 diodo de Schottky de los dispositivos electrónicos el de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN,
diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED
Unión mal hecha baja modificada para requisitos particulares del enrejado del microprocesador del cuadrado del tamaño sic con arriba termal 0
 
 
Advantagement                               
• Unión mal hecha baja del enrejado• Alta conductividad termal
 
• Bajo consumo de energía
 
• Características transitorias excelentes
 
• Alto hueco de banda 
 
 
tamaño común 2inch para sic los substratos

especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic) 
GradoGrado cero de MPDGrado de la producciónGrado de la investigaciónGrado simulado 
 
Diámetro50,8 mm±0.2mm 
 
Grueso330 μm±25μm o 430±25um o 1000um±25um 
 
Orientación de la obleaDe eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001>±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI 
 
Densidad de Micropipecm2s ≤0cm2s ≤5cm2s ≤15cm2s ≤100 
 
Resistencia4H-N0.015~0.028 Ω•cm 
 
6H-N0.02~0.1 Ω•cm 
 
4/6H-SI≥1E5 Ω·cm 
 
Plano primario{10-10} ±5.0° 
 
Longitud plana primaria18,5 mm±2.0 milímetro 
 
Longitud plana secundaria10.0mm±2.0 milímetro 
 
Orientación plana secundariaSilicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero 
 
Exclusión del borde1 milímetro 
 
TTV/Bow /Warp≤10μm/≤10μm/≤15μm 
 
AsperezaRa≤1 polaco nanómetro 
 
CMP Ra≤0.5 nanómetro 
 
Grietas por la luz de intensidad altaNinguno1 permitida, ≤2 milímetro≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud 
 
 
Placas del hex. por la luz de intensidad altaÁrea acumulativa el ≤1%Área acumulativa el ≤1%Área acumulativa el ≤3% 
 
Áreas de Polytype por la luz de intensidad altaNingunoÁrea acumulativa el ≤2%Área acumulativa el ≤5% 
 
 
Rasguños por la luz de intensidad alta3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 
 
 
microprocesador del bordeNinguno3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno5 permitida, ≤1 milímetro cada uno 
 
 

tamaño de imagen: 10x10x0.5mmt,
tolerancia: ±0.03mm
anchura de la profundidad x del partido: 0.4mmx0.5m m
TIPO: 4H-semi
superficie: pulido (ssp o dsp)
Ra: 0.5nm

Unión mal hecha baja modificada para requisitos particulares del enrejado del microprocesador del cuadrado del tamaño sic con arriba termal 1Unión mal hecha baja modificada para requisitos particulares del enrejado del microprocesador del cuadrado del tamaño sic con arriba termal 2
Unión mal hecha baja modificada para requisitos particulares del enrejado del microprocesador del cuadrado del tamaño sic con arriba termal 3Unión mal hecha baja modificada para requisitos particulares del enrejado del microprocesador del cuadrado del tamaño sic con arriba termal 4

FAQ

1. Q: ¿Cuál es su paquete? ¿Son seguros?
A: proporcionamos la caja automática de la película de la adsorción como paquete.
2.Q: ¿Cuál es su término del pago?
A: Nuestro término del pago es T/T el 50% por adelantado, el 50% antes de entrega.
3.Q: ¿Cómo puedo conseguir algunas muestras?
A: Becauce modificó productos de la forma para requisitos particulares, nosotros espera que usted puede pedir la porción mínima como muestra.
4.Q: ¿Cuánto tiempo tiempo podemos conseguir las muestras?
A: Enviamos las muestras en 10 - 25 días después de que usted confirma.
5.Q: ¿Cómo su fábrica hace con respecto a control de calidad?
A: La calidad primero es nuestro lema, importancia de la fijación de los trabajadores siempre gran para la calidad que controla de
el mismo principio al final.

 

Éntrenos en contacto con en cualquier momento

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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