Los parámetros del perfil de superficie de la oblea Arco, Warp, TTV son factores muy importantes que deben considerarse en la fabricación de chips.En conjunto, estos tres parámetros reflejan la uniformidad de la planitud y del grosor de la oblea de silicio y tienen un impacto directo en muchos pasos clave del proceso de fabricación de chips.
TTV es la diferencia entre el grosor máximo y mínimo de una oblea de silicio.Este parámetro es un índice importante utilizado para medir la uniformidad de espesor de las obleas de silicio.En un proceso de semiconductores, el espesor de la oblea de silicio debe ser muy uniforme en toda la superficie.Las mediciones se realizan generalmente en cinco puntos de la oblea de silicio y se calcula la diferencia máxima.En última instancia, este valor es la base para juzgar la calidad de la oblea de silicio.En aplicaciones prácticas, el TTV de una oblea de silicio de 4 pulgadas es generalmente menor que 2um, y el de una oblea de silicio de 6 pulgadas es generalmente menor que 3um.
- ¿ Por qué?
El arco en la fabricación de semiconductores se refiere a la flexión de obleas de silicio.La palabra probablemente proviene de una descripción de la forma de un objeto cuando está doblado, como la forma curva de un arco.El valor de arco se define midiendo la desviación máxima entre el centro y el borde de la oblea de silicio.Este valor se expresa generalmente en micrómetros (μm).El estándar SEMI para las obleas de silicio de 4 pulgadas es Bow<40um. ¿Qué es eso?
La velocidad warp.
La curvatura es una característica global de las obleas de silicio, que indica la distancia máxima de la superficie de la obleas del plano.Mide la distancia entre los puntos más altos y más bajos de una oblea de silicio.El estándar SEMI para las obleas de silicio de 4 pulgadas es Warp<40um. ¿Qué es eso?
¿Cuál es la diferencia entre TTV, Bow, Warp?
Aunque estos tres parámetros están relacionados con la forma y las propiedades geométricas de la oblea de silicio, se miden y describen de manera diferente,y su impacto en el proceso de semiconductores y procesamiento de obleas también es diferente.
En primer lugar, cuanto más pequeños sean los tres parámetros, mejor.Así que si los valores de los tres exceden el estándar, el chip de silicio será desechado.
Problema de profundidad focal: Durante la litografía, pueden producirse cambios en la profundidad focal, lo que afecta la nitidez del patrón.
Problemas de alineación: Puede hacer que la oblea se desplace durante la alineación, lo que afecta aún más la precisión de alineación entre capas.
Polido desigual: puede dar lugar a un pulido desigual durante el CMP, lo que resulta en rugosidad de la superficie y tensión residual.
Deposición desigual: las obleas convexas y cóncavas pueden causar un espesor desigual de la película depositada durante la deposición.
Problemas de carga: las obleas convexas y cóncavas pueden dañarlas durante la carga automática.
Finalmente, como profesionales de semiconductores, debemos darnos cuenta de la importancia de los parámetros del perfil de la oblea para todo el proceso de proceso, y prestar atención a los detalles al hacer procesos de semiconductores.
