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Sic substrato

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Sic substrato

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Porcelana Wafer epitaxial SiC de 4H de 6 pulgadas 100 μm/200 μm/300 μm para dispositivo MOS de ultraalta tensión (UHV) fábrica

Wafer epitaxial SiC de 4H de 6 pulgadas 100 μm/200 μm/300 μm para dispositivo MOS de ultraalta tensión (UHV)

Resumen general de las obleas SiC Epi Wafer epitaxial SiC de 4H de 6 pulgadas 100 μm/200 μm/300 μm para dispositivo MOS de ultraalta tensión (UHV) La oblea epitaxial 4H-SiC es un material básico para dispositiv... Leer más
2025-09-04 13:07:50
Porcelana Wafer epitaxial SiC de 6 pulgadas de ultraalta tensión 100 ¢ 500 μm para dispositivos MOSFET fábrica

Wafer epitaxial SiC de 6 pulgadas de ultraalta tensión 100 ¢ 500 μm para dispositivos MOSFET

Wafer epitaxial SiC de 6 pulgadas de ultra alto voltaje Introducción principal Wafer epitaxial SiC de 6 pulgadas de ultraalta tensión 100 ¢ 500 μm para dispositivos MOSFET Este producto es una capa epitaxial de ... Leer más
2025-09-04 13:07:33
Porcelana Ventanas ópticas cuadradas personalizadas Moissanita verde SiC Cristal Alta dureza fábrica

Ventanas ópticas cuadradas personalizadas Moissanita verde SiC Cristal Alta dureza

Descripción general de la ventana cuadrada de moissanita verde Ventanas ópticas cuadradas personalizadas de cristal de SiC de moissanita verde de alta dureza La ventana cuadrada de moissanita verde es un plano ... Leer más
2025-09-04 13:07:31
Porcelana Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio fábrica

Wafer SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio

Descripción general de las obleas SICOI Obleas SICOI de 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 pulgadas, 4H-SiC sobre aislante, película de SiC de 100 a 150 mm SOBRE silicio Categoría de característica Parámetros... Leer más
2025-08-14 11:19:19
Porcelana 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS fábrica

2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS

Resumen de los sustratos 3C-SiC 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS El sustrato de carburo de silicio (3C-SiC) tipo 3C-N es un material ... Leer más
2025-08-14 11:19:17
Porcelana Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G fábrica

Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G

Descripción del producto de sustrato 3C-SiC Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G ZMSH se especializa en I+D y producción de materiales semiconductores de tercera generación, con más ... Leer más
2025-08-14 11:19:16
Porcelana Carburo de silicio (SiC) de alta pureza en polvo 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Tamaño de partícula SIC Crecimiento de cristal fábrica

Carburo de silicio (SiC) de alta pureza en polvo 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Tamaño de partícula SIC Crecimiento de cristal

Resumen Carburo de silicio (SiC) de alta pureza en polvo 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Tamaño de partícula SIC Crecimiento de cristal El polvo de carburo de silicio (SiC), como material principal para ... Leer más
2025-08-14 11:19:05
Porcelana Substrato SiC de 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR de grado óptico fábrica

Substrato SiC de 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR de grado óptico

6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI SiC Substrato Grado óptico 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI Tipo SiC Substrato para gafas AR Un revolucionario sustrato óptico de 4H-SiC diseñado específicamente para gafas AR... Leer más
2025-08-08 11:34:11
Porcelana Substrato SiC de 6 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR y dispositivos RF 5G fábrica

Substrato SiC de 6 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR y dispositivos RF 5G

6 pulgadas 4H-SEMI SiC Substrato Resumen Substrato SiC de tipo 4H-SEMI de 6 pulgadas para gafas AR El sustrato de carburo de silicio 4H-SEMI (4H-SiC) de 6 pulgadas es un material semiconductor de banda ancha ... Leer más
2025-08-08 11:34:11
Porcelana 4H-N tipo de sustrato SiC 10x10mm Wafer para electrónica de potencia fábrica

4H-N tipo de sustrato SiC 10x10mm Wafer para electrónica de potencia

El substrato de SiC 10×10 mm 4H-N Tipo de sustrato SiC 10 × 10 mm Wafer pequeño Forma y dimensiones personalizables La pequeña oblea SiC 10×10 es un producto semiconductor de alto rendimiento desarrollado sobre ... Leer más
2025-07-31 09:09:08
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