SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

Lugar de origen CHINA
Nombre de la marca zmsh
Certificación ISO9001
Número de modelo obleas de la semilla 6inch
Cantidad de orden mínima 3PCS
Precio by case
Detalles de empaquetado por el caso modificado para requisitos particulares
Tiempo de entrega 30days dentro
Condiciones de pago T/T
Datos del producto
Industria substrato del semiconductor Materiales sic cristal
Uso Obleas de la semilla Tipo 4H-N,
Color verde, azul, blanco Hardeness 9,0 para arriba
Grado Prima/producción Grueso 153m m
Alta luz

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

,

6" oblea del carburo de silicio

,

oblea del carburo de silicio de 0.6m m

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Descripción de producto

grueso cristalino primero de la oblea 0.6m m de la semilla del carburo de silicio de SIC de la producción 6inch para sic el crecimiento

6inch sic substratos, sic substratos sic cristalinos 2inch 3inch 4inch 6inch 4h del semiconductor del bloque sic cristalino de los lingotes del lingote sic ninguna oblea dopada

 

 

 podemos proporcionamos la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en el diámetro 2 -6inch, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

uso 1.material y advantagement

Usos:

• Dispositivo de la epitaxia de GaN
• Dispositivo optoelectrónico
• Dispositivo de alta frecuencia
• Dispositivo de poder más elevado
• Dispositivo de alta temperatura
• Diodos electroluminosos

 

• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda

 

 

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
Polytype
Solo cristal 4H
Solo cristal 6H
Parámetros del enrejado
a=3.076 Å
a=3.073 Å
c=10.053 Å
c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia
ABCB
ABCACB
Banda-Gap
eV 3,26
eV 3,03
Densidad
3,21 · 103 kg/m3
3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coeficiente de la extensión
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
Índice de la refracción
ningunos = 2,719
ningunos = 2,707
ne = 2,777
ne = 2,755
Constante dieléctrica
9,6
9,66
Conductividad termal
490 W/mK
490 W/mK
Campo eléctrico de la avería
2 – 4 · 108 V/m
2 – 4 · 108 V/m
Velocidad de deriva de la saturación
2,0 · 105 m/s
2,0 · 105 m/s
Movilidad de electrón
800 cm2/V·S
400 cm2/V·S
movilidad de agujero
115 cm2/V·S
90 cm2/V·S
Dureza de Mohs
~9
 
2. Describtion material del tamaño
 
SIC Crystal Silicon Carbide Wafer 0
 
 
3.productes
SIC Crystal Silicon Carbide Wafer 1

 

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer 2

 

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer 3

FAQ:

 

Q: ¿Cuál es su MOQ y plazo de expedición?

: (1) para el inventario, el MOQ es 3pcs. si 5-10pcs él es mejor en 10-30days

(2) para 6inch modificó productos para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba en 30-50days

 

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y fletar está de acuerdo con el acuerdo real.

 

Q: ¿Cómo pagar?

: T/T, 100%

 

Q: ¿Usted tiene productos estándar?

: no hay 6inch nuestros productos estándar en existencia.

pero como como el grueso 2sp de los substratos 4inch 0.33m m tenga algún en existencia

 

 

Thanks~~~