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| Lugar de origen | China |
| Nombre de la marca | ZMSH |
| Certificación | rohs |
| Número de modelo | SIC010 |
Desde la perspectiva de la capa de aplicaciones terminal, los materiales del carburo de silicio tienen una amplia gama de usos en tren de alta velocidad, electrónica de automóvil, rejillas elegantes, inversores fotovoltaicos, electromecánico industrial, centros de datos, electrodomésticos, productos electrónicos de consumo, comunicación 5G, exhibiciones de la siguiente generación, y otros campos, con potencial de mercado enorme. En términos de uso, se divide en la baja tensión, el voltaje medio, y campos de alto voltaje:
Campo de la baja tensión
Principalmente apuntando un ciertos productos electrónicos de consumo, tales como PFC y fuente de alimentación; Por ejemplo, Xiaomi y Huawei han lanzado cargadores rápidos usando los dispositivos del nitruro del galio.
Campo medio del voltaje
Principalmente en sistemas de la electrónica de automóvil y del tránsito y de red eléctrica del carril con un voltaje encima de 3300V. Por ejemplo, Tesla era el fabricante automotriz más temprano para utilizar los dispositivos del carburo de silicio, usando los 3. modelo. En el campo de la tensión media y baja, el carburo de silicio tiene los diodos muy maduros y productos del MOSFET que se están promoviendo y se están aplicando en el mercado.
Campo de alto voltaje
El carburo de silicio tiene ventajas únicas. Pero hasta ahora, no ha habido un producto maduro lanzado en el campo de alto voltaje, y el mundo está en la etapa de la investigación y desarrollo.
Los vehículos eléctricos son el mejor escenario del uso para el carburo de silicio. El módulo de la impulsión eléctrico de Toyota (el componente de la base de vehículos eléctricos) reduce el volumen de dispositivos del carburo de silicio por el 50% o comparados más a IGBTs basado silicio, y la densidad de energía es también mucho más alto que el del silicio basó IGBTs. Ésta es también la razón por la que muchos fabricantes tienden a utilizar el carburo de silicio, que puede optimizar la disposición de componentes en el coche y ahorrar más espacio.
PROPIEDADES FÍSICAS
Estructura cristalina de Polytype
Conductividad termal (n-tipo; 0,020 Ω*cm)
Parámetros 4H monocristal del enrejado
A~4.2 hexagonal W/cm • K @ 298 K c~3.7 W/cm • K @ 298 K; a=3.073 Å c=10.053 Å
Diámetros apoyados 2inch ~8inch; 100 mm* y 150 milímetros
EV de Bandgap 3,26
Conductividad termal (HPSI): a~4.9 W/cm • K @ 298 K; c~3.9 W/cm • K @ 298 K
Dureza 9,2 de Mohs;
Ventajas del carburo de silicio
Hay ventajas numerosas a usar el carburo de silicio sobre substratos de silicio más tradicionales. Una de las ventajas principales es su dureza. Esto da a material muchas ventajas, en velocidad, temperatura alta y/o usos de alto voltaje. Las obleas del carburo de silicio tienen alta conductividad termal, que los medios ellos pueden transferir calor a partir de un punto a otro pozo. Esto mejora su conductividad eléctrica y en última instancia miniaturización, uno de los objetivos comunes de cambiar sic a las obleas.
Los substratos del carburo de silicio también tienen un coeficiente bajo para la extensión termal. La extensión termal es la cantidad y dirección que un material se amplía o que contrata mientras que calienta para arriba o se refresca abajo. La explicación más común es hielo, aunque se comporte el contrario de la mayoría de los metales, ampliándose pues se refresca y que encoge mientras que calienta para arriba. El coeficiente bajo del carburo de silicio para los medios de la extensión termal que no cambian perceptiblemente de tamaño o forma mientras que se calientan para arriba o se calman, que hace perfecto para caber en los pequeños dispositivos y embalar más transistores sobre un solo microprocesador.
Otra ventaja importante de estos substratos es su alta resistencia al choque termal. Esto significa que tienen la capacidad de cambiar temperaturas rápidamente sin la fractura o agrietarse. Esto crea una ventaja clara al fabricar los dispositivos pues es otra característica de la dureza que mejora el curso de la vida y el funcionamiento del carburo de silicio con respecto al silicio a granel tradicional.
Encima de sus capacidades termales, es un substrato muy durable y no reacciona con los ácidos, los álcalis o las sales fundidas en las temperaturas hasta 800°C. Esto da flexibilidad de estos substratos en sus usos y fomenta ayudas su capacidad hacia fuera de realizar el silicio a granel en muchos usos.
Su fuerza en las temperaturas altas también permite que actúe con seguridad en las temperaturas sobre 1600°C. Esto le hace un substrato conveniente para virtualmente cualquier uso de alta temperatura.
4H- y 6H- sic son materiales del semiconductor con un diámetro de 50.8m m (2") y 200m m (8"), respectivamente. Ambos ellos son N/Nitrogen-doped y son intrinsic/HPSI.
La resistencia del ohm*cm de las gamas 4H-SiC de 0,015 a 0,028 mientras que la resistencia de 6H-SiC es mayor que el ohm*cm 1E7. El grueso de ambos tipos de sic es 250um a 15,000um (15m m). Ambos tienen un final pulido lado simple o doble de la superficie, apilando la secuencia de ABCB para 4H-SiC y ABCACB para 6H-SiC.
La constante dieléctrica es 9,6 para 4H-SiC y 9,66 para 6H-SiC. La movilidad de electrón de 4H-SiC es 800 cm2/V*S y 400 cm2/V*S para 6H-SiC. Finalmente, ambos tienen una densidad de 3,21 · 103 kg/m3.
El substrato de ZMSH SIC010 sic es un nuevo tipo de material del dispositivo de semiconductor con resistencia de alta resistencia y da alta temperatura. Es ampliamente utilizado en la industria del semiconductor debido a su excelente rendimiento. Con los microprocesadores modificados para requisitos particulares del tamaño sic, las obleas y las placas de encargo del tamaño, substrato de 4H-N SIC de ZMSH SIC010 sic se han convertido en un material ideal para el desarrollo de los dispositivos de semiconductor avanzados.
El material del substrato de ZMSH SIC010 sic es sic monocristal con la resistencia a la tensión más que 400MPa. Tiene una alta llanura de λ/10@632.8nm, y el tamaño se puede modificar para requisitos particulares según requisitos de cliente. La cantidad de orden mínima es 10pc, y el precio se basa en la cantidad de la orden. El empaquetado es caja plástica modificada para requisitos particulares y plazo de expedición es en el plazo de 30 días. Las condiciones de pago son T/T, y la capacidad de la fuente es 1000pc/month.
El substrato de ZMSH SIC010 sic es ampliamente utilizado en diversos campos tales como electrónica de poder, comunicación de microonda, optoelectrónica y espacio aéreo. Es un material ideal para la fabricación de componentes electrónicos de alta precisión con buen funcionamiento y confiabilidad. Con excelente rendimiento, el substrato de ZMSH SIC010 sic es certificado por RoHS y ha sido reconocido extensamente por los clientes.
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