Hogar
>
PRODUCTOS
>
Sic substrato
>
|
| Lugar de origen | CHINA |
| Nombre de la marca | SICC |
| Certificación | CE |
| Número de modelo | 4h-n |
de 2inch dia50.8mm los 330μm del grueso 4 de H-N Type grado de la producción del substrato sic
N-tipo 6H o 4H de las obleas del carburo de silicio 2inch o sic substratos semiaislantes
4 H-N Type/semi aislamiento sic de las obleas del carburo de silicio de los substratos 2inch 3inch 6inch
cuál es sic subatrate
Sic un substrato refiere a una oblea hecha del carburo de silicio (sic), que es un material ancho-bandgap del semiconductor que tiene propiedades eléctricas y termales excelentes. Sic los substratos son de uso general como plataforma para el crecimiento de las capas epitaxiales de sic o de otros materiales, que se pueden utilizar para fabricar los diversos dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, tales como transistores de alta potencia, diodos de Schottky, fotodetectores ULTRAVIOLETA, y LED.
Sic los substratos se prefieren sobre otros materiales del semiconductor, tales como silicio, para los usos de alta potencia y des alta temperatura de la electrónica debido a sus propiedades superiores, incluyendo un voltaje de avería más alto, una conductividad termal más alta, y una temperatura de funcionamiento máximo más alta. Sic los dispositivos pueden actuar en temperaturas mucho más altas que los dispositivos silicio-basados, haciéndolos convenientes para el uso en ambientes extremos, por ejemplo en usos automotrices, aeroespaciales, y de la energía.
Usos
Deposición del nitruro de III-V
Dispositivos optoelectrónicos
Dispositivos de alta potencia
Dispositivos des alta temperatura
Dispositivos de poder de alta frecuencia
Especificación
| Grado | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | |
| Diámetro | 50,8 milímetro +/- 0,38 milímetros | |||
| Grueso |
N-tipo 330 um +/- 25 um 250 um +/- 25 semiaislantes um |
|||
| Orientación de la oblea |
En eje: <0001> +/- 0,5 grados para 6H-N /4H-N /4H-SI /6H-SI De eje: 4,0 grados hacia <11-20> +/--0,5 grado para 4H-N /4H-SI |
|||
| Densidad de Micropipe (MPD) | 5 cm-2 | 15 cm-2 | 30 cm-2 | |
|
Resistencia eléctrica (Ohmio-cm) |
4H-N | 0.015~0.028 | ||
| 6H-N | 0.02~0.1 | |||
| 4/6H-SI | >1E5 | (el 90%) >1E5 | ||
| Doping de la concentración |
N-tipo: ~ 1E18/cm3 SI-tipo (V-dopado): ~ 5E18/cm3 |
|||
| Plano primario | {10-10} +/- 5,0 grados | |||
| Longitud plana primaria | 15,9 milímetro +/- 1,7 milímetros | |||
| Longitud plana secundaria | 8,0 milímetro +/- 1,7 milímetros | |||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: 90 grados CW del plano primero +/- 5,0 grados | |||
| Exclusión del borde | 1 milímetro | |||
| TTV/arco/deformación | 15 um/25um/25um | |||
| Aspereza superficial | Ra polaco óptico 1 nanómetro en la cara de C | |||
| Ra del CMP 0,5 nanómetros en la cara del Si | ||||
| Grietas examinadas por la luz de intensidad alta | Ninguno | Ninguno | 1 permitida, 1 milímetro | |
| Placas del hex. examinadas por el light* de intensidad alta | Área acumulativa el 1% | Área acumulativa el 1% | Área acumulativa el 3% | |
| Áreas de Polytype examinadas por el light* de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el 2% | Área acumulativa el 5% | |
| Rasguños examinados por la luz de intensidad alta ** |
3 rasguños al diámetro 1wafer longitud acumulativa |
5 rasguños a 1 diámetro de la oblea longitud acumulativa |
8 rasguños a 1 diámetro de la oblea longitud acumulativa |
|
| El saltar del borde | Ninguno | 3 permitida, 0,5 milímetros cada uno | 5 permitida, 1 milímetro cada uno | |
| Contaminación superficial según lo examinado por la luz de intensidad alta | Ninguno | |||
Cadena industrial
La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.
La compañía de ZMSH proporciona proporciona las obleas de 100m m y de 150m m sic. Con su dureza (sic está el segundo material más duro del mundo) y la estabilidad bajo calor y corriente de alto voltaje, este material está siendo ampliamente utilizado en varias industrias.
Precio
La compañía de ZMSH ofrece el mejor precio en el mercado para sic las obleas de alta calidad y los substratos sic cristalinos hasta seis (6) pulgadas de diámetro. Nuestro precio que hace juego garantías de la política usted el mejor precio para los productos sic cristalinos con especificaciones comparables. CONTACTO LOS E.E.U.U. hoy para conseguir su cita.
Arreglo para requisitos particulares
Los productos sic cristalinos modificados para requisitos particulares se pueden hacer para resolver los requisitos particulares y las especificaciones del cliente.
las Epi-obleas pueden también ser por encargo a petición.
FAQ
Q: ¿Cuál es la manera de término del envío y del coste y de la paga?
: (1) aceptamos el 50% T/T por adelantado y dejamos el 50% antes de entrega por DHL, Fedex, el ccsme etc.
(2) si usted tiene su propia cuenta expresa, es grande. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
La carga está de acuerdo con el acuerdo real.
Q: ¿Cuál es su MOQ?
: (1) para el inventario, el MOQ es 3pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.
Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?
: Sí, podemos modificar el material, las especificaciones y la forma para requisitos particulares, tamaño basado en sus necesidades.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
: (1) para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.
(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.
Éntrenos en contacto con en cualquier momento
