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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Oblea del carburo de silicio de los substratos 2inch 0.33m m 0.43m m de 6H-N 4H-N sic
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Oblea del carburo de silicio de los substratos 2inch 0.33m m 0.43m m de 6H-N 4H-N sic

Lugar de origen China
Nombre de la marca ZMSH
Certificación ROHS
Número de modelo 6h-n 2inch
Detalles del producto
Material:
sic cristalino
Tamaño:
2inch
Grueso:
350um o 330um
Superficie:
CMP en la si-cara, P.M. de la c-cara
Color:
Transparente
Tipo:
6h-n
Resistencia:
los 0.015~0.028ohm.cm
Ra:
<0>
Alta luz: 

sic oblea del substrato 2inch

,

De silicio del carburo substrato sic

,

6 H-N Silicon Carbide Wafer

Descripción de producto

 

oblea del carburo de silicio de 10x10x0.5m m sic 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

de 2inch 0.33m m 0.43m m 6H-N 4H-N sic de los substratos de silicio del carburo oblea sic

Alta calidad cristalina para la electrónica de poder exigente

Como el transporte, la energía y los mercados industriales se desarrollan, exija para la electrónica de poder del rendimiento confiable, alto continúa creciendo. Para cubrir las necesidades del funcionamiento mejorado del semiconductor, los fabricantes del dispositivo están mirando a los materiales anchos del semiconductor del bandgap, tales como nuestro grado sic primero 4H de 4H n - tipo obleas del carburo de silicio (sic).

Características dominantes

  • Optimizes apuntó funcionamiento y el coste total de la propiedad para los dispositivos de la electrónica de poder de la siguiente generación
  • Obleas del diámetro grande para las economías de escala mejoradas en la fabricación del semiconductor
  • Gama de niveles de tolerancia para cubrir necesidades específicas de la fabricación del dispositivo
  • Alta calidad cristalina
  • Densidades bajas del defecto

Clasificado para la producción mejorada

Con el tamaño de la oblea de 150 milímetros, ofrecemos a fabricantes la capacidad a las economías de escala mejoradas palancada comparadas con 100 milímetros de fabricación del dispositivo. Nuestras obleas de 150 milímetros sic ofrecer características mecánicas constantemente excelentes para asegurar compatibilidad con procesos existentes y que se convierten de la fabricación del dispositivo.

Modificado para requisitos particulares para cubrir sus necesidades

Nuestro sic material se puede modificar para requisitos particulares para cumplir los requisitos del funcionamiento y del coste de las necesidades del diseño del dispositivo. Tenemos la capacidad para producir las obleas de alta calidad para los dispositivos de la siguiente generación con las densidades bajas del defecto tan bajas como ≤ de MPD 0,1 cm-2, ≤ 400 cm del TSD2 y ≤ 1.500 cm del BPD-2.

Aprenda más de nuestro pdf técnico en las obleas del carburo de silicio de 150 milímetros

Especificación
Propiedad
4H-SiC, solo cristal
6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado
a=3.076 Å c=10.053 Å
a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia
ABCB
ABCACB
Dureza de Mohs
≈9.2
≈9.2
Densidad
3,21 g/cm3
3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción
ningunos = 2,61
ne = 2,66
ningunos = 2,60
ne = 2,65
Constante dieléctrica
c~9.66
c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)
a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K
 
Conductividad termal (semiaislante)
a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K
a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K
Banda-Gap
eV 3,23
eV 3,02
Campo eléctrico de la avería
los 3-5×106V/cm
los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación
2.0×105m/s
2.0×105m/s

Oblea del carburo de silicio de los substratos 2inch 0.33m m 0.43m m de 6H-N 4H-N sic 0Oblea del carburo de silicio de los substratos 2inch 0.33m m 0.43m m de 6H-N 4H-N sic 1Oblea del carburo de silicio de los substratos 2inch 0.33m m 0.43m m de 6H-N 4H-N sic 2

Oblea del carburo de silicio de los substratos 2inch 0.33m m 0.43m m de 6H-N 4H-N sic 3Oblea del carburo de silicio de los substratos 2inch 0.33m m 0.43m m de 6H-N 4H-N sic 4

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grado simulado de Prodcution del grado de la investigación del grado de las obleas de 4inch 350um 4H-N/500um HPSI 4H-Semi sic

grado simulado de Prodcution del grado de la investigación del grado de las obleas de 6inch 350um 4H-N/500um 4H-Semi sic

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propia cuenta expresa, es grande.

Q: ¿Cómo pagar?

(1) T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram y
Pago de la garantía en Alibaba y etc….
(2) tarifa de banco: Union≤USD1000.00 del oeste),
T/T -: sobre 1000usd, por favor por t/t

Q: ¿Cuál es entregar tiempo?

(1) para el inventario: plazo de expedición es 5 días laborables.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares: plazo de expedición es 7 a 25 días laborables. Según la cantidad.

Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?

Sí, podemos modificar el material, las especificaciones y la capa para requisitos particulares óptica para sus componentes ópticos basados en sus necesidades.

Éntrenos en contacto con en cualquier momento

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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