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Oblea de GaN del nitruro del galio de HVPE, situación libre del microprocesador de Gan tamaño de 10 x 10 milímetros

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Oblea de GaN del nitruro del galio de HVPE, situación libre del microprocesador de Gan tamaño de 10 x 10 milímetros

Oblea de GaN del nitruro del galio de HVPE, situación libre del microprocesador de Gan tamaño de 10 x 10 milímetros
Oblea de GaN del nitruro del galio de HVPE, situación libre del microprocesador de Gan tamaño de 10 x 10 milímetros Oblea de GaN del nitruro del galio de HVPE, situación libre del microprocesador de Gan tamaño de 10 x 10 milímetros

Ampliación de imagen :  Oblea de GaN del nitruro del galio de HVPE, situación libre del microprocesador de Gan tamaño de 10 x 10 milímetros

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Número de modelo: GaN-001
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 2-4 semanas
Condiciones de pago: L/C, T/T
Capacidad de la fuente: 10pcs/month

Oblea de GaN del nitruro del galio de HVPE, situación libre del microprocesador de Gan tamaño de 10 x 10 milímetros

descripción
Materiales: Solo cristal de GaN industria: Oblea de semiconductor, LED
Aplicación: dispositivo de semiconductor, oblea del LD, oblea del LED, detector del explorador, laser, Tipo: Plantilla de HVPE
Personalizado: AUTORIZACIÓN Tamaño: 10X10,5X5,20X20,30X30, DIA45MM,
Alta luz:

plantilla gan

,

plantilla del aln

oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos derechos libres para el LD, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de HVPE GaN

 

Sobre la característica de GaN introduzca

 La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta temperatura y altas del manejo de la potencia hace que la industria del semiconductor del madethe repiense la opción de los materiales usados como semiconductores. Por ejemplo,                      

mientras que se presentan los diversos dispositivos computacionales más rápidos y más pequeños, el uso del silicio está haciendo difícil sostener la ley de Moore. Pero también en oblea de la electrónica de poder, así que de semiconductor de GaN se crece hacia fuera para la necesidad.              

 Debido a su voltaje de avería único de las características (alto actual máximo, alto, y alta frecuencia que cambia), nitruro GaN del galio es el material único de la opción para solucionar los problemas de energía del futuro.   GaN basó sistemas tiene eficacia de mayor potencia, los apagones así de reducción, cambian en una frecuencia más alta, así reduciendo tamaño y el peso.    

                                                                                                                                                                           

   La tecnología de GaN se utiliza en usos de alta potencia numerosos tales como fuentes industriales, del consumidor y del servidor de alimentación, impulsión solar, de la CA e inversores de UPS, y coches híbridos y eléctricos. Además,                       

GaN se adapta idealmente para los usos del RF tales como estaciones base, radares y televisión por cable celulares                             

infraestructura en el establecimiento de una red, sectores del espacio aéreo y de la defensa, gracias a su alta fuerza de la avería, figura de poco ruido y altas linearidades.

 

 

 

Especificaciones para los substratos de GaN

 

 

2" substratos de GaN  
Artículo GAN-FS-n GAN-FS-SI
Dimensiones ± 1m m de Ф 50.8m m
Densidad del defecto de Marco Un nivel ≤ 2 cm-2
Nivel de B > 2 cm-2
Grueso 330 µm del ± 25
Orientación ± 0.5° de C-AXIS (0001)
Orientación plana ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0m m
Orientación secundaria plana ± 3°, 8,0 ± 1.0m m (de 11-20)
TTV (variación total del grueso) µm ≤15
ARCO µm ≤20
Tipo de la conducción N-tipo Semiaislante
Resistencia (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Densidad de dislocación Menos que 5x106 cm-2
Superficie usable > el 90%
Polaco Superficie delantera: Ra < 0="">
Superficie trasera: Tierra fina
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

P-GaN en el zafiro

Crecimiento MOCVD/HVPE
Conductividad Tipo de P
Dopante Magnesio
Concentración > 5E17 cm-3
Grueso 1 ~ 5 um
Resistencia < 0="">
Substrato /Ø 4"/Ø Ø 2" 3" oblea del zafiro

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Usos

  1. - Diversos LED: LED blanco, LED violeta, LED ultravioleta, LED azul
  2. - Detección ambiental
  3. Substratos para el crecimiento epitaxial por MOCVD etc
  4. - Diodos láser: LD violeta, LD verde para los proyectores ultra pequeños.
  5. - Dispositivos electrónicos del poder
  6. - Dispositivos electrónicos de alta frecuencia
  7. Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
  8. Almacenamiento de la fecha
  9. Iluminación económica de energía
  10. Dispositivos electrónicos de gran eficacia
  11. Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía
  12. Banda del terahertz de la fuente de luz

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