plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea de GaN del nitruro del galio del mocvd GaN,
Cubierta prohibida del ancho de banda del III-nitruro (GaN, AlN, mesón) (luminescente y absorción) el ultravioleta,
la luz visible e infrared.GaN se pueden utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía
y proyección de imagen, exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
Especificaciones:
2" plantillas de GaN
Artículo |
GaN-T-N |
GaN-T-S |
Dimensiones |
Ф 2" |
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Grueso |
15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40 |
30 μm, μm 90 |
Orientación |
± 1° de C-AXIS (0001) |
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Tipo de la conducción |
N-tipo |
Semiaislante |
Resistencia (300K) |
< 0="">Ω·cm |
>106 Ω·cm |
Densidad de dislocación |
Menos que los cm2s 1x108 |
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Estructura del substrato |
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Superficie usable |
> el 90% |
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Polaco |
Estándar: Opción del SSP: DSP |
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Paquete |
Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. |
- FAQ –
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(1) aceptamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF por el MANDO.
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(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
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