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Plantilla de los substratos del nitruro del galio de GaN de la oblea de la estructura cristalina LED de la wurzita

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Plantilla de los substratos del nitruro del galio de GaN de la oblea de la estructura cristalina LED de la wurzita

China Plantilla de los substratos del nitruro del galio de GaN de la oblea de la estructura cristalina LED de la wurzita proveedor
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Ampliación de imagen :  Plantilla de los substratos del nitruro del galio de GaN de la oblea de la estructura cristalina LED de la wurzita

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: GaN-plantillas

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5pc
Precio: by case
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 2-4 semanas
Condiciones de pago: L / C, T / T
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Descripción detallada del producto
Materiales: Epi de GaN en el portador del zafiro Método: HVPE
Tamaño: 2inch Espesor: 430um
industria: LD, llevado, dispositivo del laser, detector, superficie: solo lado pulido

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Especificaciones de GaN/características especiales:

  1. El nitruro del galio (GaN) es un material hecho muy duro que tiene una wurzita la estructura cristalina y es probablemente el material más importante del semiconductor como el material de la tercera generación semi.
  2.  Puede ser utilizado para emitir la luz brillante bajo la forma de diodos electroluminosos (LED) y diodos láser, así como para ser el material dominante para el de alta frecuencia de la siguiente generación, transistores de poder más elevado capaces del funcionamiento en las temperaturas altas.
  3. GaN basó la oblea epitaxial (zafiro, sic) que las obleas epitaxiales son crecidas por método del MBE o del MOCVD, una capa o las estructuras de múltiples capas en los substratos del zafiro, diámetro hasta 4 pulgadas.

Cubierta prohibida del ancho de banda del III-nitruro (GaN, AlN, mesón) (luminescente y absorción) el ultravioleta,

la luz visible e infrared.GaN se pueden utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía

y proyección de imagen, exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

 Plantilla de los substratos del nitruro del galio de GaN de la oblea de la estructura cristalina LED de la wurzita
 
Especificaciones:
 

2" plantillas de GaN

 

 Artículo

 

GaN-T-N  

GaN-T-S

Dimensiones

Ф 2"

 Grueso

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

 Orientación

± 1° de C-AXIS (0001)

Tipo de la conducción

N-tipo

Semiaislante

 Resistencia (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

 Densidad de dislocación

Menos que los cm2s 1x108

Estructura del substrato

 
GaN grueso en el zafiro 430um o 330um (0001)

 

 Superficie usable

> el 90%

Polaco

Estándar: Opción del SSP: DSP

 Paquete

Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

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Plantilla de los substratos del nitruro del galio de GaN de la oblea de la estructura cristalina LED de la wurzita
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(1) aceptamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF por el MANDO.
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(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
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