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2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado
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2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmkj
Número de modelo GaN-plantillas
Detalles del producto
Material:
Epi de GaN en el portador del zafiro
Método:
HVPE
Tamaño:
2inch
Grueso:
430um
Industria:
LD, llevado, dispositivo del laser, detector,
Superficie:
solo lado pulido
Alta luz: 

substrato gan

,

plantilla gan

Descripción de producto

plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea de GaN del nitruro del galio del mocvd GaN,

Especificaciones de GaN/características especiales:

  1. El nitruro del galio (GaN) es un material hecho muy duro que tiene una wurzita la estructura cristalina y es probablemente el material más importante del semiconductor como el material de la tercera generación semi.
  2.  Puede ser utilizado para emitir la luz brillante bajo la forma de diodos electroluminosos (LED) y diodos láser, así como para ser el material dominante para el de alta frecuencia de la siguiente generación, transistores de poder más elevado capaces del funcionamiento en las temperaturas altas.
  3. GaN basó la oblea epitaxial (zafiro, sic) que las obleas epitaxiales son crecidas por método del MBE o del MOCVD, una capa o las estructuras de múltiples capas en los substratos del zafiro, diámetro hasta 4 pulgadas.

Cubierta prohibida del ancho de banda del III-nitruro (GaN, AlN, mesón) (luminescente y absorción) el ultravioleta,

la luz visible e infrared.GaN se pueden utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía

y proyección de imagen, exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

 2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado 0
 
Especificaciones:
 

2" plantillas de GaN

 

 Artículo

 

GaN-T-N  

GaN-T-S

Dimensiones

Ф 2"

 Grueso

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

 Orientación

± 1° de C-AXIS (0001)

Tipo de la conducción

N-tipo

Semiaislante

 Resistencia (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

 Densidad de dislocación

Menos que los cm2s 1x108

Estructura del substrato

 
GaN grueso en el zafiro 430um o 330um (0001)

 

 Superficie usable

> el 90%

Polaco

Estándar: Opción del SSP: DSP

 Paquete

Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

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- FAQ –
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(1) aceptamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF por el MANDO.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
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