Calidad Oblea del nitruro del galio fábrica

Nuestras categorías

Wafer de zafiro Al2O3, fuera del eje C hacia el plano M 8°, diámetros: 2" ′′ 8", espesor personalizado

Éntrenos en contacto con

12 pulgadas de diámetro 300 mm SIC Substrato epitaxial Wafer pulido de carburo de silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conductor solar fotovoltaico

Éntrenos en contacto con

Zafiro en forma personalizada Zafiro Vista de ventanas Vidrio óptico alta dureza

Éntrenos en contacto con

Tubo de zafiro pulido de cristal único Al₂O₃ Componente óptico

Éntrenos en contacto con

Caso de relojes de zafiro redondo de 40 mm/42 mm personalizable en magenta

Éntrenos en contacto con

6' 8' Ultra grueso SiO2 de cristal único 10um 20um 25um Seco de oxido húmedo 0,1μm 25μm

Éntrenos en contacto con

Oblea de la capa de Si3Nx con la resistencia 1 - 10ohm ningunos defectos

Éntrenos en contacto con

Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G

Éntrenos en contacto con

Oblea de vidrio de cuarzo de 2 pulgadas DSP SSP Diámetro 50,8 mm

Éntrenos en contacto con

INTRODUCCIóN DE LA EMPRESA

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

El COMERCIO FAMOSO CO., LTD. de SHANGAI localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica se funda en la ciudad de Wuxi en 2014. Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y el vidrio óptico custiomized parts.components ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones ...

Leer más Contacta ahora

Noticias De La Compañía

2025/09/03

Tecnologías de Limpieza de Obleas y Compartición de Datos

Tecnologías de limpieza de obleas y intercambio de datos La tecnología de limpieza de obleas es un proceso crítico en la fabricación de semiconductores, ya que incluso los contaminantes a nivel atómico pueden afectar el rendimiento o el rendimiento del dispositivo. El proceso de limpieza generalmente implica múltiples pasos para eliminar diferentes tipos de contaminantes, como residuos orgánicos, metales, partículas y óxidos nativos. 1. Propósito de la limpieza de obleas: Eliminar contaminantes orgánicos (por ejemplo, fotorresistente, huellas dactilares) Eliminar impurezas metálicas (por ejemplo, Fe, Cu, Ni) Eliminar partículas (por ejemplo, polvo, fragmentos de silicio) Eliminar óxidos nativos (por ejemplo, capas de SiO₂ formadas al exponerse al aire) 2. La limpieza estricta de obleas asegura: Alto rendimiento del proceso y rendimiento del dispositivo Reducción de defectos y tasas de rechazo de obleas Calidad y consistencia de la superficie mejoradas Antes de someter las obleas de silicio a procesos de limpieza intensivos, se debe evaluar la contaminación superficial existente. Comprender los tipos, rangos de tamaño y distribución de las partículas en la superficie de la oblea ayuda a optimizar la química de limpieza y la entrada de energía mecánica. 3. Técnicas analíticas avanzadas para la evaluación de la contaminación: 3.1 Análisis de partículas superficiales Los contadores de partículas dedicados utilizan la dispersión láser o la visión por computadora para contar, dimensionar y mapear los residuos de la superficie. La intensidad de la dispersión de la luz se correlaciona estrechamente con los tamaños de las partículas tan pequeños como decenas de nanómetros y densidades tan bajas como 0,1 partículas/cm². La calibración cuidadosa utilizando estándares garantiza un rendimiento confiable del hardware. El escaneo de la superficie de la oblea antes y después de la limpieza valida claramente la efectividad de la eliminación, impulsando las mejoras del proceso cuando es necesario. 3.2 Análisis elemental de la superficie Las técnicas analíticas sensibles a la superficie identifican la composición elemental de los contaminantes. La espectroscopia fotoelectrónica de rayos X (XPS o ESCA) examina los estados químicos superficiales de los elementos irradiando la oblea con rayos X y midiendo los electrones emitidos. La espectroscopia de emisión óptica de descarga luminiscente (GD-OES) pulveriza secuencialmente capas superficiales ultradelgadas mientras que la espectroscopia de emisión determina la composición elemental por profundidad. Estos análisis de composición, con límites de detección tan bajos como partes por millón, guían la química de limpieza óptima. 3.3 Análisis morfológico de la contaminación La microscopía electrónica de barrido proporciona imágenes detalladas de los contaminantes de la superficie, revelando las tendencias de adhesión química y mecánica basadas en la forma y las relaciones de área/perímetro. La microscopía de fuerza atómica mapea los perfiles topológicos a nanoescala, cuantificando la altura de las partículas y las propiedades mecánicas. El fresado de haz de iones enfocado combinado con la microscopía electrónica de transmisión ofrece vistas internas de los contaminantes enterrados. 4. Otros métodos de limpieza avanzados Si bien la limpieza con solventes es un excelente primer paso para eliminar los contaminantes orgánicos de las obleas de silicio, a veces se requiere una limpieza avanzada adicional para eliminar las partículas inorgánicas, los rastros de metales y los residuos iónicos. Varias técnicas proporcionan la limpieza profunda necesaria al tiempo que minimizan el daño a la superficie o la pérdida de material para las obleas de silicio de precisión: 4.1 Limpieza RCA Desarrollada por RCA Laboratories, la limpieza RCA emplea un proceso especializado de doble baño para eliminar los contaminantes basados en la polaridad. Inmersión secuencial: SC-1 (Estándar Clean-1) – Eliminación orgánica básica SC-2 (Estándar Clean-2) – Eliminación inorgánica ácida Ofrece una limpieza de obleas excepcionalmente equilibrada al tiempo que protege la oblea. 4.2 Limpieza con ozono Implica sumergir las obleas en agua desionizada saturada con ozono altamente reactivo Eliminación potente de orgánicos sin causar daños Deja una superficie ultra limpia y químicamente pasivada 4.3 Limpieza megasónica Utiliza energía ultrasónica de alta frecuencia junto con soluciones de limpieza Las burbujas de cavitación desalojan los contaminantes Penetra geometrías difíciles Los sistemas dedicados evitan daños a las obleas delicadas 4.4 Limpieza criogénica El enfriamiento rápido a temperaturas criogénicas fragiliza los contaminantes El enjuague posterior o el cepillado suave hace que las partículas se desprendan Evita que las impurezas se adhieran o se difundan en la superficie Un proceso muy rápido y seco sin productos químicos añadidos Conclusión Como su socio de confianza, ZMSH no solo suministra y vende equipos de fabricación de semiconductores líderes a nivel mundial, sino que también posee capacidades de procesamiento y limpieza de obleas de última generación. Entendemos profundamente los estrictos requisitos de pureza de la superficie en los procesos avanzados y, con el apoyo de un equipo de ingeniería profesional y soluciones de vanguardia, estamos comprometidos a mejorar el rendimiento, garantizar el rendimiento y acelerar la innovación para nuestros clientes. Desde equipos básicos hasta procesos críticos, brindamos soporte técnico y servicios excepcionales en todo momento, posicionándonos como un socio indispensable en su cadena de valor.

2025/08/20

Materia prima clave en la fabricación de semiconductores: tipos de sustratos de obleas

Materia prima clave en la fabricación de semiconductores: tipos de sustratos de obleas Los sustratos de obleas sirven como portadores físicos de dispositivos semiconductores, con sus propiedades materiales que influyen directamente en el rendimiento, el costo y el alcance de aplicación del dispositivo.A continuación se presentan los principales tipos de sustratos de obleas y sus respectivas ventajas y desventajas: 1. Silicio (Si) Cuota de mercado: domina más del 95% del mercado mundial de semiconductores. Ventajas: Bajo coste: las abundantes materias primas (dióxido de silicio) y los procesos de fabricación maduros permiten economías de escala significativas. Alta compatibilidad de procesos: la tecnología CMOS altamente madura admite la fabricación a nanoescala (por ejemplo, nodos de 3 nm). Excelente calidad de cristal: capaz de producir cristales individuales de gran tamaño (12-inch primario, 18-inch en desarrollo) con bajos defectos. Propiedades mecánicas estables: fácil de cortar, pulir y procesar. - ¿ Qué? Desventajas: Intervalo de banda estrecho (1.12 eV): alta corriente de fuga a temperaturas elevadas, lo que limita la eficiencia de los dispositivos de potencia. Bandgap indirecto: Eficiencia de emisión de luz extremadamente baja, no adecuada para dispositivos optoelectrónicos (por ejemplo, LED, láseres). Movilidad electrónica limitada: Rendimiento de alta frecuencia inferior en comparación con los semiconductores compuestos. - ¿ Qué? Las obleas de silicio de ZMSH 2Arsenuro de galio (GaAs) Aplicaciones: dispositivos de RF de alta frecuencia (5G/6G), dispositivos optoelectrónicos (láseres, células solares). Ventajas: Alta movilidad de electrones (56× la del silicio): ideal para aplicaciones de alta velocidad y alta frecuencia (comunicaciones en mmWave). Bandgap directo (1.42 eV): conversión fotoeléctrica eficiente, que forma la base de los láseres infrarrojos y los LED. Resistencia térmica/radiación: adecuado para el sector aeroespacial y los ambientes de altas temperaturas. Desventajas: Alto costo: material escaso con crecimiento de cristales complejos (propenso a dislocaciones); los tamaños de las obleas son pequeños (6 pulgadas primarias). Fragilidad mecánica: propensa a la fragmentación, lo que resulta en bajos rendimientos de procesamiento. Toxicidad: se requiere un control estricto para el manejo del arsénico. - ¿ Qué? Las obleas de GaAs de ZMSH 3. Carburo de silicio (SiC) Aplicaciones: Dispositivos de energía de alta temperatura/alta tensión (inversores de vehículos eléctricos, pilas de carga), aeroespacial. Ventajas: Amplia banda (3,26 eV): soporta altos voltajes (intensidad del campo de descomposición 10 veces la del silicio) y funciona a > 200 °C. Alta conductividad térmica (3 veces la del silicio): una disipación de calor eficiente mejora la densidad de potencia del sistema. Bajas pérdidas de conmutación: mejora la eficiencia de conversión de energía. Desventajas: Preparación de sustrato desafiante: crecimiento lento de los cristales (> 1 semana) y difícil control de defectos (microtubos, dislocaciones); cuesta 5×10 veces el del silicio. Tamaños de obleas pequeñas: 4 ′′ 6 pulgadas; desarrollo de 8 pulgadas en curso. Procesamiento difícil: La alta dureza (Mohs 9.5) hace que el corte y el pulido consuman mucho tiempo. - ¿ Qué? Las obleas de SiC de ZMSH 4Nitruro de galio (GaN) Aplicaciones: dispositivos de energía de alta frecuencia (cargadores rápidos, estaciones base 5G), LED/láseres azules. Ventajas: "Movilidad de electrones ultra-alta + amplio intervalo de banda (3,4 eV) ": Combina características de alta frecuencia (> 100 GHz) y alta tensión. Baja resistencia de encendido: reduce el consumo de energía del dispositivo. Compatibilidad epitaxial heterogénea: A menudo se cultiva en sustratos de silicio, zafiro o SiC para reducir los costos. - ¿ Qué? Desventajas: Dificultad en el crecimiento de cristales a granel: la corriente principal se basa en la epitaxia heterogénea, con defectos inducidos por el desajuste de la red. Costo alto: Los sustratos de GaN autoportantes son caros (las obleas de 2 pulgadas pueden costar miles de dólares). Desafíos de confiabilidad: el efecto de colapso actual requiere optimización. Las obleas de GaN de ZMSH 5. El fósforo-índio (InP) Aplicaciones: optoelectrónica de alta velocidad (láseres, detectores), dispositivos de terahercios. Ventajas: Mover electrones ultraaltos: admite una operación de alta frecuencia > 100 GHz (superior a la de GaAs). Intervalo de banda directo con coincidencia de longitud de onda: crítico para las comunicaciones de fibra óptica de 1,3 ∼ 1,55 μm. Desventajas: Fragilidad y alto costo: los precios del sustrato son más de 100 veces los del silicio; los tamaños de las obleas son pequeños (4 ′′ 6 pulgadas). - ¿ Qué? El ZMSHEn el POferta 6. Zafiro (Al2O3) Aplicaciones: iluminación LED (substrato epitaxial de GaN), cubiertas de electrónica de consumo. Ventajas: Bajo coste: más barato que los sustratos de SiC/GaN. Estabilidad química: resistente a la corrosión y aislante. Transparencia: adecuado para LEDs de estructura vertical. Desventajas: Desajuste de red con GaN (> 13%) : Requiere capas tampón para reducir los defectos epitaxiales. Mala conductividad térmica (≈1/20 de la del silicio): limita el rendimiento de los LED de alta potencia. El ZMSHel zafiroOferta 7. Óxido de aluminio y sustratos cerámicos (por ejemplo, AlN, BeO) Aplicaciones: sustratos de disipación de calor para módulos de alta potencia. Ventajas: Aislamiento + alta conductividad térmica (AlN: 170 ∼ 230 W/m·K): ideal para envases de alta densidad. Desventajas: Dispositivos no de cristal único: no pueden cultivarse directamente; se utilizan únicamente como sustratos de embalaje. El sustrato cerámico de alumina de ZMSH 8. Substratos especializados Se trata de un sistema de control de la calidad de los materiales. Estructura: Silicio/dióxido de silicio/sándwich de silicio.- ¿ Qué? Ventajas: Reduce la capacidad parasitaria, la dureza de la radiación y la corriente de fuga (utilizada en RF, MEMS). Desventajas: 3050% más caro que el silicio a granel. Quarzo (SiO2):Se usa en las máscaras fotográficas, MEMS; resistente al calor pero quebradizo. Diamante:Conductividad térmica máxima (> 2000 W/m·K) en desarrollo para disipación de calor extrema. Wafer de SOI de ZMSH, wafer de cuarzo, sustrato de diamante Resumen de la tabla de comparación Substrato Energía de banda (eV) Movilidad de los electrones (cm2/Vs) Conductividad térmica (W/mK) Tamaño general Aplicaciones básicas El coste Sí, sí. 1.12 1,500 150 12 pulgadas Chips de lógica y almacenamiento El más bajo GaAs 1.42 8,500 55 4 a 6 pulgadas Dispositivos RF/optoelectrónicos En alto. Seco 3.26 900 490 6 pulgadas (R&D 8 pulgadas) Dispositivos eléctricos/vehículos eléctricos Extremadamente alto GaN 3.4 2,000 El número de 4 a 6 pulgadas (heteroepitaxia) Carga rápida/RF/LED Altas concentraciones (heteroepitaxia, etc.) En el P 1.35 5,400 70 4 a 6 pulgadas Comunicaciones ópticas/Terahertz Extremadamente alto El safir 9.9 (Isolador) - 40 4-8 pulgadas Substrato de LED Bajo Factores clave para la selección Requisitos de rendimiento: las aplicaciones de alta frecuencia prefieren GaAs/InP; las aplicaciones de alto voltaje/alta temperatura requieren SiC; la optoelectrónica prefiere GaAs/InP/GaN. Limitaciones de costes: los productos electrónicos de consumo dan prioridad al silicio; los campos de gama alta aceptan precios superiores para el SiC/GaN. Complejidad de integración: la compatibilidad CMOS de silicio sigue siendo inigualable. Gestión térmica: los dispositivos de alta potencia priorizan el SiC o el GaN basado en diamantes. Madurez de la cadena de suministro: Silicio > Zafiro > GaAs > SiC > GaN > InP. Tendencias futuras La integración heterogénea (por ejemplo, GaN en silicio, SiC en GaN) equilibrará el rendimiento y el costo, impulsando avances en 5G, vehículos eléctricos y computación cuántica. Servicios de la ZMSH - ¿ Qué? Como proveedor de servicios integrales de fabricación y comercio de materiales semiconductores, ofrecemos soluciones de cadena de suministro de productos de cadena completa a partir de sustratos de obleas (Si / GaAs / SiC / GaN, etc.) a los fotoresistentes y a los materiales de pulido CMP. Aprovechando las bases de producción auto-desarrolladas y una red de cadena de suministro globalizada,Combinamos capacidades de respuesta rápida con soporte técnico profesional para capacitar a los clientes para lograr operaciones estables de la cadena de suministro y resultados de innovación tecnológica mutuamente beneficiosos.- ¿ Por qué?

2025/08/13

Equipo de corte por láser de gran formato: tecnología básica para la futura producción de obleas SiC de 8 pulgadas

Equipo de corte por láser de gran formato: tecnología básica para la futura producción de obleas SiC de 8 pulgadas El carburo de silicio (SiC) representa no solo una tecnología crítica para la seguridad de la defensa nacional, sino también un foco clave para las industrias automotriz y energética globales.Como paso inicial de procesamiento para los materiales monocristalinos de SiCLa calidad del corte de las obleas determina fundamentalmente el rendimiento del adelgazamiento y pulido subsiguientes.aumento de las tasas de rotura y los costes de fabricaciónPor lo tanto, controlar el daño de las grietas superficiales es crucial para avanzar en la tecnología de fabricación de dispositivos SiC. Equipo de adelgazamiento de obleas de ZMSH El corte actual de lingotes de SiC se enfrenta a dos desafíos principales: Alta tasa de pérdida de material en la aserradura tradicional de varios alambres.Debido a la extrema dureza y fragilidad del SiC, los procesos de corte / molienda / pulido encuentran graves problemas de deformación y grietaje.Los datos de Infineon muestran que la sierra de alambre de diamante tradicional logra sólo el 50% de utilización del material durante la corte, con pérdidas totales que alcanzan el 75% (~ 250 μm por oblea) después del pulido. Ciclos de procesamiento prolongados y bajo rendimiento.Las estadísticas internacionales de producción indican que 10.000 obleas requieren ∼ 273 días de operación continua.Para satisfacer la demanda del mercado, es necesario desplegar una sierra de alambre masiva, a la vez que se sufre de una elevada rugosidad de la superficie y una grave contaminación (residuos de lodos)., aguas residuales). Para hacer frente a estos desafíos, el equipo del profesor Xiangqian Xiu de la Universidad de Nanjing ha desarrollado equipos de corte por láser de gran formato que reducen significativamente la pérdida de material y mejoran la productividad.Para un lingote de SiC de 20 mmAdemás, las obleas cortadas por láser presentan características geométricas superiores, lo que permite un grosor de 200 μm para un mayor rendimiento. Las ventajas competitivas de este proyecto incluyen: Desarrollo del prototipo terminado para el corte/delgado de obleas de SiC semisolantes de 4-6 pulgadas Se logró cortar lingotes de SiC conductores de 6 pulgadas Verificación en curso del corte de lingotes de 8 pulgadas Cuenta con un tiempo de procesamiento 50% más corto, mayor rendimiento anual y una pérdida de material de < 50 μm por oblea El análisis del mercado confirma que este equipo es la futura solución básica para la producción de SiC de 8 pulgadas.000 unidades sin alternativas locales madurasLa innovación de la Universidad de Nanjing tiene un potencial comercial significativo, con aplicaciones adicionales en GaN, Ga2O3 y procesamiento de diamantes. ZMSH se especializa en proporcionar soluciones integrales de SiC, ofreciendo sustratos de SiC de 2 a 12 pulgadas, incluido el tipo 4H/6H-N, aislante 4H-semi y politipos 4H/6H-3C con espesores personalizables. También suministramos equipos completos de producción de SiC, desde sistemas de crecimiento de cristales hasta maquinaria avanzada de procesamiento de obleas, incluyendo equipos de corte y adelgazamiento por láser,ofrecer soluciones integrales para la industria de semiconductores. Substrato de SiC de ZMSH de tipo 4H-N

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Wafer de zafiro Al2O3, fuera del eje C hacia el plano M 8°, diámetros: 2" ′′ 8", espesor personalizado

12 pulgadas de diámetro 300 mm SIC Substrato epitaxial Wafer pulido de carburo de silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conductor solar fotovoltaico

Zafiro en forma personalizada Zafiro Vista de ventanas Vidrio óptico alta dureza

Tubo de zafiro pulido de cristal único Al₂O₃ Componente óptico

Caso de relojes de zafiro redondo de 40 mm/42 mm personalizable en magenta

6' 8' Ultra grueso SiO2 de cristal único 10um 20um 25um Seco de oxido húmedo 0,1μm 25μm

Oblea de la capa de Si3Nx con la resistencia 1 - 10ohm ningunos defectos

Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G

Oblea de vidrio de cuarzo de 2 pulgadas DSP SSP Diámetro 50,8 mm

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Sic substrato

De la pureza elevada de silicio del carburo oblea sin impurificar sic, substrato del carburo de silicio de 6Inch 4H-Semi sic

2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector

sic carburo de silicio del lingote 4inch grueso de 5 - de 15m m para los semiconductores

Oblea del zafiro

Orientación de encargo del Special de Windows del vidrio/zafiro del zafiro de la oblea de semiconductor

Wafer de zafiro espesor 0,43 mm componentes de zafiro tamaño personalizado y orientaciones

Oblea del zafiro/cristal cuadrados 10x10m m 5x5m m del zafiro para la lente óptica

Oblea del nitruro del galio

Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado

Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro