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Chip SiC para electrónica avanzada de carburo de silicio

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December 09, 2025
Conexión De Categoría: Sic substrato
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Etiquetas:
#sic oblea #sic substrato #substrato del carburo de silicio
Escrito: Mostramos los pasos prácticos y los resultados para que pueda juzgar la idoneidad rápidamente. Este video demuestra el proceso de fabricación de obleas rectangulares de carburo de silicio (SiC), desde el crecimiento del cristal mediante PVT hasta el pulido final. Verá cómo se producen estos sustratos semiconductores avanzados para electrónica de alta potencia, dispositivos de radiofrecuencia y aplicaciones optoelectrónicas.
Características De Productos Relacionados:
  • Disponible en politipos 4H-SiC y 6H-SiC para aplicaciones de RF y electrónica de potencia de alto voltaje.
  • Presenta una amplia banda prohibida de 3,2-3,3 eV para un alto voltaje de ruptura y eficiencia.
  • La excelente conductividad térmica (3,0-4,9 W/cm*K) garantiza una disipación de calor superior.
  • Alta resistencia mecánica con dureza Mohs de ~9,2 para mayor durabilidad en entornos hostiles.
  • Dimensiones y espesores personalizables (330-500 μm) para satisfacer necesidades de aplicaciones específicas.
  • Disponible con opciones de dopaje tipo N o tipo P para un rendimiento eléctrico personalizado.
  • Acabado de superficie pulido de una o dos caras, incluidas opciones preparadas para epi.
  • Ideal para electrónica de potencia, dispositivos de RF, optoelectrónica y aplicaciones aeroespaciales.
FAQ:
  • ¿Por qué elegir sustratos de SiC en lugar de silicio tradicional?
    El SiC ofrece un rendimiento térmico superior, una mayor resistencia a la rotura y pérdidas de conmutación significativamente menores en comparación con el silicio, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta eficiencia y alta potencia.
  • ¿Se pueden dotar estos sustratos de capas epitaxiales?
    Sí, ofrecemos opciones de epitaxia personalizadas y preparadas para epi para aplicaciones de dispositivos optoelectrónicos, de RF o de alta potencia.
  • ¿Se pueden personalizar las dimensiones y el dopaje?
    Absolutamente. Se encuentran disponibles tamaños personalizados, perfiles de dopaje y tratamientos de superficie para satisfacer las necesidades de aplicaciones específicas.
  • ¿Cómo se comportan los sustratos de SiC en condiciones extremas?
    Los sustratos de SiC mantienen la integridad estructural y la estabilidad eléctrica a temperaturas superiores a 600 °C, lo que los hace adecuados para entornos hostiles como aplicaciones aeroespaciales, de defensa y industriales de alta potencia.
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