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4H-N tipo de sustrato SiC 10 × 10 mm pequeña oblea

sic crystal
July 30, 2025
Conexión De Categoría: Sic substrato
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Etiquetas:
#sic oblea #sic substrato #substrato del carburo de silicio
Escrito: ¿Alguna vez se preguntó cómo el sustrato SiC tipo 4H-N de 10×10 mm de oblea pequeña puede revolucionar la electrónica de potencia? Este video muestra sus características de alto rendimiento, opciones de personalización e inspecciones de calidad rigurosas, lo que lo hace ideal para aplicaciones B2B en vehículos de nueva energía, infraestructura 5G y más.
Características De Productos Relacionados:
  • Producto semiconductor de alto rendimiento basado en carburo de silicio (SiC) con opciones de politipo 4H-SiC o 6H-SiC.
  • Tolerancia dimensional controlada dentro de ±0.05 mm y rugosidad superficial Ra < 0.5 nm para aplicaciones de precisión.
  • Disponibles en versiones dopadas tipo N y tipo P con un rango de resistividad de 0,01-100 Ω*cm.
  • Gestión térmica excepcional con conductividad térmica de hasta 490 W/m*K, tres veces superior a la del silicio.
  • Propiedades eléctricas superiores, incluyendo una resistencia dieléctrica de 2-4 MV/cm y una velocidad de deriva de saturación de electrones de 2×10^7 cm/s.
  • Adaptabilidad ambiental extrema, manteniendo un rendimiento estable a temperaturas de hasta 600°C.
  • Rendimiento mecánico excepcional con una dureza Vickers de 28-32 GPa y una resistencia a la flexión superior a 400 MPa.
  • Servicios de personalización para la orientación cristalina, el espesor y la concentración de dopaje según los requisitos del cliente.
FAQ:
  • ¿Cuáles son las principales aplicaciones de las obleas de SiC de 10×10 mm?
    Las obleas de SiC de 10x10 mm se utilizan principalmente para la creación de prototipos de electrónica de potencia (MOSFET/diodos), dispositivos de RF y componentes optoelectrónicos debido a su alta conductividad térmica y tolerancia al voltaje.
  • ¿Cómo se compara el SiC con el silicio para aplicaciones de alta potencia?
    El SiC ofrece una tensión de ruptura 10 veces mayor y una conductividad térmica 3 veces mejor que el silicio, lo que permite dispositivos más pequeños, más eficientes y de alta temperatura/alta frecuencia.
  • ¿Qué opciones de personalización están disponibles para el sustrato SiC de 10x10 mm?
    Las opciones de personalización incluyen formas no estándar (redondas, rectangulares, etc.), perfiles de dopaje especiales, metalización posterior y soluciones a medida para la orientación del cristal, el grosor y la concentración de dopaje.
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