4H-N tipo de sustrato SiC 10 × 10 mm pequeña oblea

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4H-N tipo de sustrato SiC 10 × 10 mm pequeña oblea

sic crystal

July 30, 2025

Conexión De Categoría: Sic substrato

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La pequeña oblea SiC 10×10 es un producto semiconductor de alto rendimiento desarrollado sobre la base del carburo de silicio (SiC) de la tercera generación de materiales semiconductores.Fabricados utilizando procesos de transporte físico de vapor (PVT) o deposición química de vapor a alta temperatura (HTCVD), ofrece dos opciones de politipo: 4H-SiC o 6H-SiC. Con una tolerancia dimensional controlada dentro de ± 0,05 mm y una rugosidad de superficie Ra < 0,5 nm,el producto está disponible en versiones dopadas de tipo N y tipo P, que cubre un rango de resistividad de 0,01-100Ω·cm. Cada oblea es sometida a rigurosas inspecciones de calidad,incluida la difracción de rayos X (XRD) para ensayos de integridad de la red y la microscopía óptica para la detección de

Etiquetas:

#sic oblea #sic substrato #substrato del carburo de silicio

Escrito: Descubra el Wafer de 4H-N tipo SiC Substrato 10x10mm, un producto semiconductor de alto rendimiento para electrónica de potencia.esta oblea es ideal para vehículos de nueva energía, infraestructuras 5G y aplicaciones aeroespaciales.

Características De Productos Relacionados:

Sustrato de SiC tipo 4H-N con dimensiones de 10x10 mm y tolerancia de ±0.05 mm.
Conductividad térmica de hasta 490 W/m*K, tres veces superior al silicio.
Resistencia dieléctrica de 2-4 MV/cm, diez veces la del silicio.
Rendimiento estable a temperaturas de hasta 600 °C con baja expansión térmica.
Las máquinas y aparatos para la fabricación de "materiales de construcción" o de "materiales de construcción" de "materiales de construcción" o de "materiales de construcción" de "materiales de construcción" o de "materiales de construcción" de "materiales de construcción".
Orientación del cristal personalizable, grosor y concentración de dopaje.
Ideal para electrónica de potencia, dispositivos de radiofrecuencia y componentes optoelectrónicos.
Inspecciones rigurosas de calidad incluyendo XRD y microscopía óptica.

FAQ:

¿Cuáles son las principales aplicaciones de las obleas de SiC de 10×10 mm?

Las obleas de SiC de 10x10 mm se utilizan principalmente para la creación de prototipos de electrónica de potencia (MOSFET/diodos), dispositivos de RF y componentes optoelectrónicos debido a su alta conductividad térmica y tolerancia al voltaje.
¿Cómo se compara el SiC con el silicio para aplicaciones de alta potencia?

El SiC ofrece una tensión de ruptura 10 veces mayor y una conductividad térmica 3 veces mejor que el silicio, lo que permite dispositivos más pequeños, más eficientes y de alta temperatura/alta frecuencia.
¿Qué opciones de personalización están disponibles para el sustrato SiC de 10x10 mm?

Las opciones de personalización incluyen formas no estándar (redondas, rectangulares), perfiles de dopaje especiales, metalización posterior, y orientación cristalina, grosor y concentración de dopaje a medida.

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