Equipo de unión de obleas Temperatura del cuarto Enlace hidrofílico

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April 15, 2025

Conexión De Categoría: Equipo del semiconductor

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#4 pulgadas de SiC horno de crecimiento de lingotes #Fuego de crecimiento de lingotes de SiC de 8 pulgadas #6 pulgadas SiC horno de crecimiento de lingotes

Escrito: Descubra el avanzado equipo de unión de obleas diseñado para la unión hidrofílica y a temperatura ambiente de obleas de Si-SiC y Si-Si que van de 2 a 12 pulgadas. Este sistema de alta gama cuenta con alineación óptica de ultra alta precisión, control de temperatura/presión de circuito cerrado y es compatible con varios procesos de unión para la fabricación de dispositivos semiconductores de potencia.

Características De Productos Relacionados:

Soporta unión directa y unión activada por plasma para obleas de 2 a 12 pulgadas.
Alineación óptica de ultra alta precisión con una precisión ≤ ± 0,5 μm.
Control de presión ajustable de precisión que oscila entre 0 y 10 MPa.
Rango de temperatura entre RT-500°C con módulo de precalentamiento/recambio opcional.
Entorno de vacío ultra alto (≤5×10−6 Torr) para la unión libre de contaminantes.
HMI táctil de grado industrial con ≥50 recetas de proceso almacenadas.
Protección triple de bloqueo para la seguridad (presión/temperatura/vacío).
Soporte opcional para manipulación robótica de obleas y protocolo de comunicación SECS/GEM.

FAQ:

¿Cuáles son las ventajas de la unión de obleas a temperatura ambiente en comparación con la unión térmica?

La unión a temperatura ambiente evita el estrés térmico y la degradación del material, lo que permite la unión directa de materiales diferentes (por ejemplo, SiC-LiNbO3) sin limitaciones de alta temperatura.
¿Qué materiales se pueden unir mediante la tecnología de unión de obleas a temperatura ambiente?

Admite la unión de semiconductores (Si, SiC, GaN), óxidos (LiNbO₃, SiO₂) y metales (Cu, Au), ideal para MEMS, circuitos integrados 3D e integración optoelectrónica.
¿Para qué aplicaciones es adecuado el equipo de unión de obleas?

Es ideal para el encapsulado de dispositivos MEMS, sensores de imagen CIS, integración 3D IC, dispositivos semiconductores compuestos y fabricación de biochips.

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