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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Investigación Grado de SIC Substrato epitaxial

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February 04, 2024
Palabra Clave: Sic substrato
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Etiquetas:
#sic oblea #sic substrato #substrato del carburo de silicio
Descripción del vídeo:
Descubra los sustratos epitaxiales SIC de alto rendimiento de 3'' y 4'', disponibles en grosores de 350um y 500um, diseñados para investigación y aplicaciones de grado simulado. Estos sustratos SSP y DSP presentan politipos 4H y 6H, que ofrecen una conductividad térmica superior, alta densidad de potencia y bajas pérdidas de conmutación para aplicaciones industriales, automotrices y aeroespaciales.
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