Las obleas de silicio de IC son 8 substratos de la pulgada de diámetro usados para los dispositivos de semiconductor con una amplia gama de usos. Se hace del silicio de gran pureza con diversos gruesos de 0,28/0,35/0,5/0,525/0,625/0,7/0,725, y de la llanura menos que 50um. Está disponible en las diversas orientaciones (100), (110), (111), P-tipo o N-tipo dopante, y ningunos defectos. Para un rendimiento más alto, una capa de Si3Nx puede ser aplicada, y una película de PECVD SIO2 se puede solicitar el aislamiento. Las obleas de silicio de IC son ampliamente utilizadas en la fabricación del semiconductor, así como en las industrias médicas, aeroespaciales y de electrónica.
Parámetro | Valor |
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Nombre de producto | Oblea de silicio de IC |
Material | Silicio |
Orientación | (100), (110), (111) |
Grueso | 0.28/ 0,35/0,5/0,525/0,625/0,7/0,725 |
Deformación | <20um> |
Arco | <10um> |
Partícula | <30> |
Defectos | Ninguno |
Llanura | <50um> |
Final superficial | SSP/DSP |
Tamaño | 4inch/6inch/8inch |
Tecnología | PECVD SIO2 |
La oblea de silicio de IC, con la marca ZMSH y el número de modelo Silicon004, es un producto de alta calidad con la certificación de ROHS de China. Tiene una cantidad de orden mínima de 25PC, y el precio se determina caso por caso. Los detalles de empaquetado son caja del casete 25pc/caja del tarro, y plazo de expedición está dentro de 30days. Las condiciones de pago son producto de T/T.The tienen una capacidad de la fuente de 2000pc/months y de ningunos defectos. La cantidad de la partícula es <30>
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