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Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser

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Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser

Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser
Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser

Ampliación de imagen :  Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser

Datos del producto:
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: GaN-2INCH
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1PC
Precio: by case
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 2-4weeks
Condiciones de pago: L/C, T/T

Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser

descripción
Material: Solo cristal de GaN Método: HVPE
Tamaño: 2inch Grueso: 330um
Industria: LD, llevado, dispositivo del laser, detector, Color: Blanco
Paquete: solo paquete de la caja del casete de la oblea por la condición del vacío
Alta luz:

Oblea del nitruro del galio de HVPE

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  1. III-nitruro (GaN, AlN, mesón)

El ancho de banda prohibido (luminescente y absorción) cubre la luz y el infrarrojo ultravioletas, visibles.

Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser 0Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser 1

 

 

GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,

Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser 2

 

Especificaciones:

Artículo GAN-FS-n
Dimensiones ± 1m m de Ф 50.8m m
Marco Defect Density Un nivel ≤ 2 cm2s
Nivel de B > 2 cm2s
Grueso 300 µm del ± 25
Orientación ± 0.5° de C-AXIS (0001)
Plano de la orientación ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0m m
Plano secundario de la orientación ± 3°, 8,0 ± 1.0m m (de 11-20)
TTV (variación total del grueso) µm ≤15
ARCO µm ≤20
Tipo de la conducción N-tipo
Resistencia (300K) < 0="">
Densidad de dislocación Menos que los cm2s 5x106
Superficie usable > el 90%
Polaco

Front Surface: Ra < 0="">

Superficie trasera: Tierra fina

Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

 

2. Nuestra empresa Vision

proporcionaremos el substrato de alta calidad de GaN y la tecnología del uso para la industria.

GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de la microonda de la confiabilidad, alto brillo y eficacia alta, LED ahorro de energía.

 

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- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.

Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 1pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.

Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar informe de ROHS y alcanzar los informes para nuestros productos.

 

 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona de Contacto: Wang

Teléfono: +8615801942596

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