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Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser
  • Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser

Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser

Lugar de origen CHINA
Nombre de la marca zmkj
Número de modelo GaN-2INCH
Detalles del producto
Material:
Solo cristal de GaN
Método:
HVPE
Tamaño:
2inch
Grueso:
330um
Industria:
LD, llevado, dispositivo del laser, detector,
Color:
Blanco
Paquete:
solo paquete de la caja del casete de la oblea por la condición del vacío
Alta luz: 

Oblea del nitruro del galio de HVPE

,

Oblea del nitruro del galio de GaN

,

Oblea gan de HVPE

Descripción de producto

substratos libres de 2inch GaN, oblea para el LD, oblea semiconductora de GaN del nitruro del galio para llevado, plantilla de GaN, substratos de 10x10m m GaN, oblea nativa de GaN,

 

  1. III-nitruro (GaN, AlN, mesón)

El ancho de banda prohibido (luminescente y absorción) cubre la luz y el infrarrojo ultravioletas, visibles.

Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser 0Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser 1

 

 

GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,

Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser 2

 

Especificaciones:

Artículo GAN-FS-n
Dimensiones ± 1m m de Ф 50.8m m
Marco Defect Density Un nivel ≤ 2 cm2s
Nivel de B > 2 cm2s
Grueso 300 µm del ± 25
Orientación ± 0.5° de C-AXIS (0001)
Plano de la orientación ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0m m
Plano secundario de la orientación ± 3°, 8,0 ± 1.0m m (de 11-20)
TTV (variación total del grueso) µm ≤15
ARCO µm ≤20
Tipo de la conducción N-tipo
Resistencia (300K) < 0="">
Densidad de dislocación Menos que los cm2s 5x106
Superficie usable > el 90%
Polaco

Front Surface: Ra < 0="">

Superficie trasera: Tierra fina

Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

 

2. Nuestra empresa Vision

proporcionaremos el substrato de alta calidad de GaN y la tecnología del uso para la industria.

GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de la microonda de la confiabilidad, alto brillo y eficacia alta, LED ahorro de energía.

 

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- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.

Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 1pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.

Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar informe de ROHS y alcanzar los informes para nuestros productos.

 

 

Éntrenos en contacto con en cualquier momento

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Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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