Inicio ProductosOblea del fosfuro de indio

Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD

Estoy en línea para chatear ahora

Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD

China Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD proveedor
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD proveedor Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD proveedor

Ampliación de imagen :  Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: InP-3inch

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea
Tiempo de entrega: 3-4weeks
Capacidad de la fuente: 1000pcs/month
Contact Now
Descripción detallada del producto
Materiales: Solo cristal del INP industria: substratos del semiconductor, dispositivo,
color: Negro Tipo: tipo semi-
Diámetro: 100m m 4inch Espesor: 625um o 350um

oblea semiaislante para el diodo láser del LD, oblea de semiconductor, oblea del INP 3inch, substratos para el uso del LD, oblea de semiconductor, oblea del INP, sola oblea cristalina del INP del fosfuro de indio 4inch del INP del solo cristal wafer2inch 3inch 4inch

 

El INP introduce                                                                                                          

Solo cristal del INP
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD

Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD

 el crecimiento (método modificado de Czochralski) se utiliza para tirar de un solo 

cristal con un encapsulant líquido del óxido bórico a partir de una semilla.

El dopante (FE, S, Sn o Zn) se añade al crisol junto con el polycrystal. La alta presión se aplica dentro de la cámara para prevenir la descomposición de la compañía del indio Phosphide.he ha desarrollado un proceso para rendir pureza completamente stoechiometric, elevada y cristal bajo del INP de la densidad de dislocación el solo.

La técnica del tCZ mejora sobre las gracias del método de LEC

a una tecnología termal del bafle con respecto a un numérico

modelado de las condiciones termales del crecimiento. el tCZ es un rentable

tecnología madura con la reproductibilidad de alta calidad del boule al boule

 

Especificación                                                                                                    

 

INP dopado FE

Especificaciones semiaislantes del INP

Método del crecimiento VGF
Dopante Hierro (FE)
Forma de la oblea Redondo (diámetro: 2", 3", Y 4")
Orientación superficial (100) ±0.5°

Orientaciones del *Other quizá disponibles a petición

Resistencia (Ω.cm) ≥0.5 × 107
Movilidad (cm2 de /V.S) ≥ 1.000
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2) 1,500-5,000

 

Diámetro de la oblea (milímetro) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Grueso (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
DEFORMACIÓN (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
DE (milímetro) 17±1 22±1 32.5±1
DE/SI (milímetro) 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Nota: Otras especificaciones quizá disponibles a petición

 

n- y p-tipo INP

Especificaciones semiconductoras del INP

Método del crecimiento VGF
Dopante n-tipo: S, Sn Y sin impurificar; p-tipo: Zn
Forma de la oblea Redondo (diámetro: 2", 3", Y 4")
Orientación superficial (100) ±0.5°

Orientaciones del *Other quizá disponibles a petición

Dopante S y Sn (n-tipo) Sin impurificar (n-tipo) Zn (p-tipo)
Concentración de portador (cm-3) (0.8-8) × 1018 × 1015 (de 1-10) (0.8-8) ×1018
Movilidad (cm2 de /V.S.) × 103 (de 1-2.5) × 103 (de 3-5) 50-100
Densidad de la echada del grabado de pistas (cm2) 100-5,000 ≤ 5000 ≤ 500
Diámetro de la oblea (milímetro) 50.8±0.3 76.2±0.3 100±0.3
Grueso (µm) 350±25 625±25 625±25
TTV [P/P] (µm) ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10
TTV [P/E] (µm) ≤ 10 ≤ 15 ≤ 15
DEFORMACIÓN (µm) ≤ 15 ≤ 15 ≤ 15
DE (milímetro) 17±1 22±1 32.5±1
DE/SI (milímetro) 7±1 12±1 18±1
Polish* E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished

Nota: Otras especificaciones quizá disponibles a petición

 

Proceso de la oblea del INP
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD
Cada lingote se corta en las obleas se traslapan que, pulido y superficial preparado para la epitaxia. El proceso total se detalla abajo.

Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD
Especificación e identificación planas La orientación es indicada en las obleas por dos planos (de largo completamente para la orientación, el pequeño plano para la identificación). El estándar de E.J. (europeo japonés) se utiliza generalmente. La configuración plana alterna (los E.E.U.U.) se utiliza sobre todo para Ø 4" las obleas.
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD
Orientación del boule Se ofrecen cualquier obleas exactas (100) o misoriented.
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD
Exactitud de la orientación de DE En respuesta a las necesidades de la industria optoelectrónica, ofrecemos las obleas con la exactitud excelente de la orientación: < 0="">
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD
Perfil del borde Hay dos espec. comunes: borde químico que procesa o que procesa mecánico del borde (con una amoladora del borde).
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD
Polaco Las obleas se pulen mediante un proceso sustancia-mecánico dando por resultado una superficie plana, libre de daños. proporcionamos las obleas pulidas y solo-lado pulidas del doble-lado (con el lado trasero traslapado y grabado al agua fuerte).
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD
Preparación superficial y empaquetado finales Las obleas pasan con muchos pasos químicos quitar el óxido producido durante el pulido y crear una superficie limpia con la capa del óxido del establo y del uniforme que está lista para el crecimiento epitaxial - superficie epiready y que reduce los oligoelementos a extremadamente - los niveles bajos. Después de la inspección final, las obleas se empaquetan de una manera que mantenga la limpieza superficial.
Las instrucciones específicas para el retiro del óxido están disponibles para todos los tipos de las tecnologías epitaxiales (MOCVD, MBE).
Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD
Base de datos Como parte de nuestro programa del control de proceso estadístico/de la gestión de calidad total, la base de datos extensa que registra las propiedades eléctricas y mecánicas para cada análisis del lingote así como de la calidad y de la superficie del cristal de obleas está disponible. En cada etapa de la fabricación, el producto se examina antes de pasar a la etapa siguiente para mantener un de alto nivel de la consistencia de la calidad de la oblea a la oblea y del boule al boule.

 

Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LDOblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD

Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD

Paquete y entrega  

Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD

Oblea aislador del fosfuro de indio de 4 pulgadas semi - para el diodo láser del LD

FAQ:

Q: ¿Cuál es su MOQ y plazo de expedición?

A: (1) para el inventario, el MOQ es 5 PC.

   (2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10-30 PC para arriba.

  (3) para los productos modificados para requisitos particulares, plazo de expedición en 10days, tamaño custiomzed para 2-3weeks 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona de Contacto: Wang

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)