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2inch 4Inch Gallium Nitride GaN AlN Template Wafer On Sapphire,Si Substrates

oblea de la plantilla de GaN AlN del nitruro del galio de 2inch 4Inch en el zafiro, substratos del Si

  • Alta luz

    substrato gan

    ,

    plantilla gan

  • Material
    AlN en la oblea
  • Método
    HVPE
  • Tamaño
    4inch
  • Grueso
    430+15um o 650um
  • Industria
    LD, llevado, dispositivo del laser, detector,
  • Superficie
    lado doble o simple pulido
  • Lugar de origen
    China
  • Nombre de la marca
    zmkj
  • Número de modelo
    4inch AlN
  • Cantidad de orden mínima
    2pc
  • Precio
    by case
  • Detalles de empaquetado
    sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
  • Tiempo de entrega
    2-4 semanas
  • Condiciones de pago
    L / C, T / T

oblea de la plantilla de GaN AlN del nitruro del galio de 2inch 4Inch en el zafiro, substratos del Si

oblea de la plantilla de AlN del nitruro del galio 2inch, 4inch en el zafiro o sic substratos, oblea del nitruro del galio de HVPE, plantillas de AlN 

  1. III-nitruro (GaN, AlN, mesón)

Cubierta prohibida del ancho de banda (luminescente y absorción) el ultravioleta, la luz visible y el infrarrojo.

Producto  Película del nitruro de aluminio (AlN)
Descripción de producto: AllN Epitxial propuso el método modelo de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro del saphhire. La película del nitruro de aluminio es también manera rentable de substituir el substrato del solo cristal del nitruro de aluminio. ¡De la rama del cristal recepción sinceramente su investigación!
Parámetros técnicos:
Tamaño ± 2m m de 50m m
Orientación del substrato del zafiro ± 1.0deg de c-AXIS (0001)
Densidad macra del defecto <5cm-2>
Superficie disponible el 90%
Tratamiento superficial antes Según lo crecido Epi-listo
Envase Solo microprocesador

 

Especificaciones:

10x10x0.5m m, 10x10x1m m, dia2 “x1mm;

Puede ser modificado para requisitos particulares según la orientación y el tamaño especiales de la demanda de los clientes.

Empaquetado del estándar: bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja
 

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GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
oblea de la plantilla de GaN AlN del nitruro del galio de 2inch 4Inch en el zafiro, substratos del Si 1
 
 
Especificaciones:

  4" plantillas de AlN del tamaño 2-4inch autorización también
Artículo AlN-T
Dimensiones Ф 100±0.3m m
Substrato Zafiro, sic, GaN
Grueso 1000nm+/- el 10% (grueso de AlN)
Orientación ± 1° de C-AXIS (0001)
Tipo de la conducción Semiaislante
Densidad de dislocación XRD FWHM de (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM de (10-12) < 1000="" arcsec="">
Superficie usable > el 80%
Polaco Estándar: SSP
Opción: DSP
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. o solos casetes.

Otro clasifica 5x5m m aslike, 10x10m m, 2inch, 3inch también puede ser modificado para requisitos particulares. 

 

Sobre nuestro equipo

    ZMKJ localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China,

y nuestra fábrica se funda en la ciudad de Wuxi en 2014, pero en el material del semiconductor,

casi tenga la buena experiencia para 10years.
   Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y el vidrio óptico custiomized parts.components ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D.
     Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes al lado de nuestros buenos reputatiaons.


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