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Capa de la oblea de los substratos del nitruro de aluminio de 2INCH AlN en la oblea del zafiro de 0.43m m

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Capa de la oblea de los substratos del nitruro de aluminio de 2INCH AlN en la oblea del zafiro de 0.43m m

Capa de la oblea de los substratos del nitruro de aluminio de 2INCH AlN en la oblea del zafiro de 0.43m m
Capa de la oblea de los substratos del nitruro de aluminio de 2INCH AlN en la oblea del zafiro de 0.43m m Capa de la oblea de los substratos del nitruro de aluminio de 2INCH AlN en la oblea del zafiro de 0.43m m

Ampliación de imagen :  Capa de la oblea de los substratos del nitruro de aluminio de 2INCH AlN en la oblea del zafiro de 0.43m m

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: 2inch AlN
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 5pc
Precio: by case
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 2-4 semanas
Condiciones de pago: L / C, T / T

Capa de la oblea de los substratos del nitruro de aluminio de 2INCH AlN en la oblea del zafiro de 0.43m m

descripción
Material: AlN en la oblea Método: HVPE
Tamaño: 2inch Grueso: 430+15um
Industria: LD, llevado, dispositivo del laser, detector, Superficie: DSP
Alta luz:

plantilla gan

,

plantilla del aln

plantilla de 2inch AlN en el zafiro o sic los substratos, oblea del nitruro del galio de HVPE, substratos de AlN en GaN

Ofrecemos los substratos monocristalinos de AlN en la plantilla del zafiro del c-avión, que llamó la oblea de AlN o la plantilla de AlN, para el LED ULTRAVIOLETA, los dispositivos de semiconductor y el crecimiento epitaxial de AlGaN. Nuestros epi-listos, substratos de AlN del C-avión tienen buen XRD FWHM o densidad de dislocación. El grueso disponible es de 30nm a 5um.
Nuestros substratos del nitruro de aluminio del solo cristal con la dislocación baja tienen extensamente uso: incluyendo LED, los detectores ULTRAVIOLETA, ventanas de los buscadores del IR, crecimiento epitaxial de los III-nitruros, el laser, los transistores del RF y el otro dispositivo de semiconductor.

Cubierta prohibida del ancho de banda (luminescente y absorción) el ultravioleta, la luz visible y el infrarrojo.
La plantilla de AlN se utiliza para el desarrollo de las estructuras del HEMT, diodos que hacen un túnel resonantes y

dispositivos acoustoelectronic

 Capa de la oblea de los substratos del nitruro de aluminio de 2INCH AlN en la oblea del zafiro de 0.43m m 0


Especificaciones:

 

  2" plantillas de AlN  
Artículo AlN-T
Dimensiones Ф 2"
Substrato Zafiro, sic, GaN
Grueso 1000nm+/- el 10%
Orientación ± 1° de C-AXIS (0001)
Tipo de la conducción Semiaislante
Densidad de dislocación XRD FWHM de (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM de (10-12) < 1000="" arcsec="">
Superficie usable > el 80%
Polaco Estándar: SSP
Opción: DSP
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.
FAQ

Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?

A: Es generalmente 5-10 días si las mercancías están en existencia. o es 15-20 días si las mercancías no están en existencia,

está según cantidad.

Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿es libre o adicional?

A: Sí, lo sentimos para ése que ofrecemos la muestra responsable por el MANDO.

 

Q: ¿Cuál es sus términos del pago?

A: Payment=1000USD<>, el 30% T/T por adelantado,

balanza antes del envío.
Si usted tiene otra pregunta, los pls no dude en para entrarnos en contacto con como abajo:

 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona de Contacto: Wang

Teléfono: +8615801942596

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