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Oblea del nitruro del galio del semiconductor, plantilla N - tipo del substrato de GaN - 2 pulgadas
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Oblea del nitruro del galio del semiconductor, plantilla N - tipo del substrato de GaN - 2 pulgadas

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmkj
Número de modelo GaN-2INCH 10x10m m
Detalles del producto
Materiales:
Solo cristal de GaN
Método:
HVPE
Tamaño:
2inch o 10x10m m
Espesor:
430um o modificado para requisitos particulares
industria:
LD, llevado, dispositivo del laser, detector,
Paquete:
cante el cassettle de la oblea por el envasado al vacío
Alta luz: 

substrato gan

,

plantilla gan

Descripción de producto


plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea del mocvd GaN, substratos libres por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de GaN del nitruro del galio de GaN de GaN del nitruro del galio del mocvd de 10x5m m GaN

 

 

  1. III-nitruro (GaN, AlN, mesón)

El nitruro del galio es una clase de semiconductores compuestos de ancho-Gap. El substrato del nitruro del galio (GaN) es

un substrato monocristal de alta calidad. Se hace con método de HVPE y la tecnología de proceso originales de la oblea, que se ha desarrollado originalmente para 10+years en China. Las características son uniformidad arriba cristalina, buena, y calidad superficial superior. Los substratos de GaN se utilizan para muchas clases de usos, para el LED blanco y el LD (violeta, azul y verde) además, desarrollo ha progresado para el poder y las aplicaciones para dispositivos electrónicas de alta frecuencia.

 

    Cubierta prohibida del ancho de banda (luminescente y absorción) el ultravioleta, la luz visible y el infrarrojo.
GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,

  1. Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
  2. Almacenamiento de la fecha
  3. Iluminación económica de energía
  4. Exhibición a todo color del fla 
  5. Laser Projecttions
  6. Dispositivos electrónicos de gran eficacia 
  7. Dispositivos de alta frecuencia de la microonda
  8. La detección de alta energía y se imagina
  9. Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía 
  10. Detección del ambiente y medicina biológica
  11. Banda del terahertz de la fuente de luz

 
Especificaciones:

  Substratos libres de GaN (tamaño modificado para requisitos particulares)
Artículo GaN-FS-10 GaN-FS-15
Dimensiones 10.0mm×10.5m m 14.0mm×15.0m m
Densidad del defecto de Marco Un nivel 0 cm-2
Nivel de B ≤ 2 cm-2
Grueso Fila 300 300 µm del ± 25
Fila 350 350 µm del ± 25
Fila 400 400 µm del ± 25
Orientación ± 0.5° de C-AXIS (0001)
TTV (variación total del grueso) µm ≤15
ARCO µm ≤20
Tipo de la conducción N-tipo Semiaislante
Resistencia (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Densidad de dislocación Menos que 5x106 cm-2
Superficie usable > el 90%
Polaco Superficie delantera: Ra < 0="">
Superficie trasera: Tierra fina
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

Oblea del nitruro del galio del semiconductor, plantilla N - tipo del substrato de GaN - 2 pulgadas 0

Artículo GaN-FS-N-1.5
Dimensiones ± 0.5m m de Ф 25.4m m ± 0.5m m de Ф 38.1m m ± 0.5m m de Ф 40.0m m ± 0.5m m de Ф 45.0m m
Densidad del defecto de Marco Un nivel ≤ 2 cm-2
Nivel de B > 2 cm-2
Grueso 300 µm del ± 25
Orientación ± 0.5° de C-AXIS (0001)
Orientación plana ± 0.5° (de 1-100) ± 0.5° (de 1-100) ± 0.5° (de 1-100) ± 0.5° (de 1-100)
8 ± 1m m 12 ± 1m m 14 ± 1m m 14 ± 1m m
Orientación secundaria plana ± 3° (de 11-20) ± 3° (de 11-20) ± 3° (de 11-20) ± 3° (de 11-20)
4 ± 1m m 6 ± 1m m 7 ± 1m m 7 ± 1m m
TTV (variación total del grueso) µm ≤15
ARCO µm ≤20
Tipo de la conducción N-tipo Semiaislante
Resistencia (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Densidad de dislocación Menos que 5x106 cm-2
Superficie usable > el 90%
Polaco Superficie delantera: Ra < 0="">
Superficie trasera: Tierra fina
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

Oblea del nitruro del galio del semiconductor, plantilla N - tipo del substrato de GaN - 2 pulgadas 1
Oblea del nitruro del galio del semiconductor, plantilla N - tipo del substrato de GaN - 2 pulgadas 2

 Nuestra empresa Vision de Factroy
proveeremos del substrato de alta calidad de GaN y de la tecnología del uso para la industria nuestra fábrica.
GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida
y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de la microonda de la confiabilidad, alto brillo
y eficacia alta, LED ahorro de energía.
 
- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg
 
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 4 workweeks después de orden.

Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía del comercio.
 
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.
 
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar los informes del informe y del alcance de ROHS para nuestros productos.
 
 

Éntrenos en contacto con en cualquier momento

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Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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