| Propiedad | 4H-SiC, solo cristal | 6H-SiC, solo cristal |
| Parámetros del enrejado | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 ne = 2,66 |
ningunos = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dieléctrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Banda-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo eléctrico de la avería | los 3-5×106V/cm | los 3-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de la saturación | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
| especificación del substrato del carburo de silicio de 6 pulgadas de diámetro (sic) |
| Grado | Grado de Z | Grado de P | Grado de R | Grado de D | |
| MPD CERO | Producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||
| Diámetro | 150mm±0.5 milímetro | ||||
| Grueso | 350 μm±25μm o 500±25um o por tamaño modificado para requisitos particulares | ||||
| Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N | ||||
| Densidad de Micropipe | ≤1cm-2 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤50 | |
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | |||
| 4/6H-SI | >1E5 Ω·cm | ||||
| Plano primario | {10-10} ±5.0° | ||||
| Longitud plana primaria | 47.5mm±2.5 milímetro | ||||
| Exclusión del borde | 3m m | ||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | ||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | ||||
| CMP Ra≤0.5 nanómetro | |||||
| Ninguno | Ninguno | 1 permitida, ≤1 milímetro | |||
| Grietas por la luz de intensidad alta | |||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Area≤ acumulativo el 1% | Area≤ acumulativo el 1% | Area≤ acumulativo el 3% | ||
| Ninguno | Area≤ acumulativo el 2% | El area≤5% acumulativo | |||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | |||||
| 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 8 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |||
| Rasguños por la luz de intensidad alta | |||||
| Microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | ||
| Contaminación por la luz de intensidad alta | Ninguno | ||||
FAQ:
Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?
A: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.
(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y
La carga está de acuerdo con el acuerdo real.
Q: ¿Cómo pagar?
A: Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.
Q: ¿Cuál es su MOQ?
A: (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.
(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
A: (1) para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de que usted pide el contacto.
Q: ¿Usted tiene productos estándar?
A: Nuestros productos estándar en existencia. como como los substratos 4inch 0.35m m.
Nuestros productos se venden en todo el mundo, puede estar seguro de todo el proceso de nuestros productos.
