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6 grado simulado de la oblea del substrato del carburo de silicio de la pulgada 4H-N 500m m 350um SIC

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6 grado simulado de la oblea del substrato del carburo de silicio de la pulgada 4H-N 500m m 350um SIC

6 grado simulado de la oblea del substrato del carburo de silicio de la pulgada 4H-N 500m m 350um SIC
6 Inch 4H-N 500mm 350um SIC Silicon Carbide Substrate Wafer Dummy Grade
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Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Número de modelo: 6inch-001
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: by case by FOB
Detalles de empaquetado: Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o
Tiempo de entrega: dentro de 40days
Capacidad de la fuente: 50pcs/months

6 grado simulado de la oblea del substrato del carburo de silicio de la pulgada 4H-N 500m m 350um SIC

descripción
Usos: dispositivo, llevado, 5G, detector, electrónica de poder Industria: oblea del semicondctor
Material: semiconductor sic Color: verde o blanco o azul
Dureza: 9,0 Tipo: 4H, 6H, dopado, ninguno-dopado,
Alta luz:

substrato del carburo de silicio del semicondctor

,

Substrato de 6 pulgadas sic

,

Del grado oblea simulada sic

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oblea del substrato 350um de 6inch 4H-N 500m m sic para el dispositivo del polvo

 

6 pulgada de diámetro, especificación del substrato del carburo de silicio (sic)  
Grado Grado cero de MPD Grado de la producción Grado de la investigación Grado simulado
Diámetro 150,0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μm o 500±25un
Orientación de la oblea De eje: 4.0° hacia< 1120=""> ±0.5° para el eje de 4 H-N On: <0001> ±0.5° para 6H-SI/4H-SI
Plano primario {10-10} ±5.0°
Longitud plana primaria 47,5 mm±2.5 milímetro
Exclusión del borde 3 milímetros
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Densidad de Micropipe cm2s ≤1 cm2s ≤5 cm2s ≤15 cm2s ≤100
Resistencia 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Aspereza Ra≤1 polaco nanómetro
CMP Ra≤0.5 nanómetro
Grietas por la luz de intensidad alta Ninguno 1 permitida, ≤2 milímetro ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud
Placas del hex. por la luz de intensidad alta Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤2% Área acumulativa el ≤5%
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta Ninguno El area≤2% acumulativo El area≤5% acumulativo
Rasguños por la luz de intensidad alta 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer
Microprocesador del borde Ninguno 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno
Contaminación por la luz de intensidad alta Ninguno
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Sobre nuestra compañía
SHANGAI CO. COMERCIAL FAMOSO, LTD. localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica se funda en la ciudad de Wuxi en 2014.
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico custiomized ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D.
Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes al lado de nuestros buenos reputatiaons.
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Contacto
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