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Substrato de Zno, substrato del cristal del óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio

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Substrato de Zno, substrato del cristal del óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio

China Substrato de Zno, substrato del cristal del óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio proveedor
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Ampliación de imagen :  Substrato de Zno, substrato del cristal del óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Certificación: no
Número de modelo: ZnO

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: Película del ANIMAL DOMÉSTICO en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Capacidad de la fuente: 500pcs/month
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Descripción detallada del producto
Materiales: Substratos del solo cristal de ZnO industria: oblea del semicondutor
Aplicación: substrato del semiconductor, microprocesador llevado, ventana de cristal óptica, substratos del disp Método: VFG
Tamaño: 10x10m m Espesor: 0,5 mm

Substratos de ZnO, pequeña oblea cuadrada del óxido de cinc de 10X10m m, substratos en diversas orientaciones, solo cristal de 5x5m m ZnO de ZnO

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El óxido de cinc (ZnO) se puede crecer como semiconductor del solo cristal con las propiedades muy interesantes.

El bandgap está en la gama de 3,4 eV que hace atractivo para muchos de los usos azules y violetas

en optoelectrónica así como dispositivos ULTRAVIOLETA. Está disponible en bultos, en las obleas de hasta 2 pulgadas,

cuál le da una ventaja importante sobre el nitruro del galio y otros nitruros del grupo III.
     ZnO también tiene el potencial para convertirse en el material del substrato de la opción para GaN. Como GaN tiene una estructura de wurzita, con los constantes del enrejado hechos juego de cerca a GaN (a=3.249, c=5.205). ZnO está exactamente

el enrejado hizo juego a InGaN con un 22% en contenido. Quizás lo que es más importante es un material obediente suave

eso se cree a probablemente y puede tomar la tensión del enrejado preferentemente a la capa cada vez mayor de GaN.

Sufre de la desventaja que disocia en amoníaco en las temperaturas sobre 600°C. con su bandgap ancho, óxido de cinc podría probar muy útil en usos ópticos así como mucho electrónica de alta velocidad.

ZnO se puede también utilizar como substrato para el crecimiento epitaxial.

 

Uso:

Descripción cristalina del substrateProduct del óxido de cinc (ZnO): El substrato cristalino del óxido de cinc (ZnO) es ampliamente utilizado adentro

Substrato epitaxial de GaN (LED azul), dispositivos de conexión de la banda amplia y otros campos. Parámetros técnicos

Substrato de Zno, substrato del cristal del óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio

Propiedades generales

Pureza % peso > 99,99
Impureza: % peso Magnesio: <>
  FE: < 0="">
Estructura cristalina Hexagonal: å del a= 3,252, c = å 5,207
Método del crecimiento Hidrotérmico
Dureza escala de 4 moh
Densidad 5,7 g/cm3
Punto del derretimiento Oc 1975
Calor específico 0,125 cal/gm
Constante termoeléctrico 1200 milivoltios/@ 300aceptables Oc
Conductividad termal 0,006 cal/cm/muy bien
Extensión termal 2,90 x 10-6/oK
Alcance de transmisión 0.4 - 0,6 m el > 50% en 2 milímetros
Densidad de dislocación <0001> avión <100>2
 

Especificaciones para la oblea

Orientación <0001> <11-20>, <10-10>± 0,5o u orientación de encargo
Superficie pulida EPI pulido en un lado o dos lados, Ra < 5="">
Tamaño estándar 5 x 5 milímetros, 10x10 milímetro, 20x20 milímetro y 25x25 milímetro
Grueso 0,35 milímetros, 0,5 milímetros y 1,0 milímetros

 

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Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
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(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-20pcs.
Depende de cantidad y de técnicas

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Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.
 

Empaquetado – Logistcs
Worldhawk se refiere a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.

¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado!

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