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Oblea del carburo de silicio de la pureza elevada, 6 pulgadas 4H - semi sic substrato del carburo de silicio

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Oblea del carburo de silicio de la pureza elevada, 6 pulgadas 4H - semi sic substrato del carburo de silicio

China Oblea del carburo de silicio de la pureza elevada, 6 pulgadas 4H - semi sic substrato del carburo de silicio proveedor
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Ampliación de imagen :  Oblea del carburo de silicio de la pureza elevada, 6 pulgadas 4H - semi sic substrato del carburo de silicio

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Número de modelo: SIC 6inch

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: por el caso modificado para requisitos particulares
Tiempo de entrega: 15days dentro
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Descripción detallada del producto
industria: substrato del semiconductor Materiales: sic cristal
Aplicación: 5G, material del dispositivo, MOCVD, electrónica de poder Tipo: 4H-N, semi, ningún dopado
color: verde, azul, blanco Hardeness: 9,0 para arriba

6inch sic substratos, 4h-n, 4H-SEMI, sic substratos sic cristalinos del semiconductor del bloque sic cristalino de los lingotes del lingote sic, carburo de silicio de la pureza elevada

 

 

Sic oblea

Sic el cristal cutted en rebanadas, y puliendo, sic la oblea viene. Para la especificación y los detalles, visite por favor debajo de la página.

 

Crecimiento sic cristalino

El crecimiento cristalino a granel es la técnica para la fabricación de substratos monocristalinos, haciendo la base para el proceso adicional del dispositivo. Para tener una brecha en sic tecnología necesitamos obviamente la producción sic de substrato con un process.6H- reproductivo y sic los cristales 4H- se crecen en crisoles del grafito en las temperaturas altas hasta 2100-2500°C. que la temperatura de funcionamiento en el crisol es proporcionada por la calefacción inductiva (RF) o resistente. El crecimiento ocurre en sic las semillas finas. La fuente representa sic la carga policristalina del polvo. Sic el vapor en la cámara de crecimiento consiste en principalmente tres especies, a saber, Si, Si2C, y SiC2, que son diluidos por el gas portador, por ejemplo, argón. Sic la evolución de la fuente incluye la variación de tiempo de la porosidad y del diámetro del gránulo y la grafitización de los gránulos del polvo.

 

Sic oblea del epi

Podemos producir rentable las estructuras epitaxiales muy de alta calidad para los propósitos del dispositivo o de prueba. El carburo de silicio que (sic) la oblea epitaxial plantea muchas ventajas en comparación con las obleas convencionales del Si, nosotros puede ofrecer capa del epi en la gama muy grande de dopar la concentración 1E15/cm3 de cm-3 del punto bajo 1014 a 1019 para más información.

 

Estructura sic cristalina

Sic el cristal tiene muchas diversas estructuras cristalinas, que se llama los polytypes. Los polytypes mas comunes sic actualmente de ser convertido para la electrónica son los 3C-SiC cúbicos, los 4H-SiC y los 6H-SiC hexagonales, y los 15R-SiC romboédricos. Estos polytypes son caracterizados por la secuencia de amontonamiento de las capas del biatom sic de la estructura

defectos sic cristalinos

La mayor parte de los defectos que fueron observados adentro sic también fueron observados en otros materiales cristalinos. Como las dislocaciones, las faltas de amontonamiento (SFs), los límites (LABs) del ángulo bajo y los gemelos. Algunos otros aparecen en los materiales que tienen la mezcla del zing o la estructura de wurzita, como el IDBs. Micropipes y las inclusiones a partir de otras fases aparecen principalmente adentro sic.

 

Uso sic cristalino

Muchos investigadores conocen el uso del general sic: Deposición del nitruro de III-V; Dispositivos optoelectrónicos; Dispositivos de poder más elevado; Dispositivos des alta temperatura; De alta frecuencia pocas personas del poder Devices.But conocen usos del detalle, nosotros enumeran un cierto detalle 

uso y advantagement materiales

• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda

 

Usos:

• Dispositivo de la epitaxia de GaN
• Dispositivo optoelectrónico
• Dispositivo de alta frecuencia
• Dispositivo de poder más elevado
• Dispositivo de alta temperatura
• Diodos electroluminosos

 

 
Propiedad 4H-SiC, solo cristal 6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción

ningunos = 2,61

ne = 2,66

ningunos = 2,60

ne = 2,65

Constante dieléctrica c~9.66 c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conductividad termal (semiaislante)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Banda-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo eléctrico de la avería los 3-5×106V/cm los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación 2.0×105m/s 2.0×105m/s
 
 
2. Describtion material del tamaño
 
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3. productes
 
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FAQ

Q: Cómo sobre plazo de expedición y la calidad.
A: Tenemos sistema de inspección estricto de la calidad.  y Delivey de DHL, Fedex, el ccsme por su requiere 


Q: ¿Es usted una empresa comercial o una fábrica?
A: Tenemos una fábrica del proceso de la oblea, que puede reducir todo el coste que podemos controlar. 

Q: ¿Cuál es sus productos principales?
A: Hay oblea del zafiro, sic, oblea del cuarzo. Podemos también producir forma especial

 productos según su dibujo.

Q: ¿Cuál es su ventaja?
A:
1. precio. Somos no sólo una empresa comercial, así que podemos conseguir el precio más competitivo para usted y asegurar nuestro &price de la calidad de los productos así como plazo de expedición.
2. tecnología. Nuestra compañía tiene experiencia de cinco años en producir la oblea y productos ópticos.
3. servicio post-venta. Podemos ser responsables de nuestra calidad.

 

Envío y paquete

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