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Del grado oblea simulada del substrato sic diámetro 150m m 4H-N de 6 pulgadas 500 milímetros de grueso

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Del grado oblea simulada del substrato sic diámetro 150m m 4H-N de 6 pulgadas 500 milímetros de grueso

China Del grado oblea simulada del substrato sic diámetro 150m m 4H-N de 6 pulgadas 500 milímetros de grueso proveedor
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Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Número de modelo: 6inch-001

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: by case by FOB
Detalles de empaquetado: Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o
Tiempo de entrega: dentro de 40days
Capacidad de la fuente: 50pcs/months
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Descripción detallada del producto
Aplicaciones: dispositivo, llevado, 5G, detector, electrónica de poder industria: oblea del semicondctor
Materiales: semiconductor sic color: verde o blanco o azul
Dureza: 9,0 Tipo: 4H, 6H, dopó, ninguno-dopado,

6inch sic substratos, 6inch sic obleas, lingotes sic cristalinos,

bloque sic cristalino, sic substratos del semiconductor, oblea del carburo de silicio

 

6 pulgada de diámetro, especificación del substrato del carburo de silicio (sic)  
Grado Grado cero de MPD Grado de la producción Grado de la investigación Grado simulado
Diámetro 150,0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μm o 500±25un
Orientación de la oblea De eje: 4.0° hacia< 1120=""> ±0.5° para 4H-N en eje: <0001>±0.5° para 6H-SI/4H-SI
Plano primario {10-10} ±5.0°
Longitud plana primaria 47,5 mm±2.5 milímetro
Exclusión del borde 3 milímetros
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Densidad de Micropipe cm2s ≤1 cm2s ≤5 cm2s ≤15 cm2s ≤100
Resistencia 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Aspereza Ra≤1 polaco nanómetro
CMP Ra≤0.5 nanómetro
Grietas por la luz de intensidad alta Ninguno 1 permitida, ≤2 milímetro ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud
Placas del hex. por la luz de intensidad alta Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤2% Área acumulativa el ≤5%
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta Ninguno El area≤2% acumulativo El area≤5% acumulativo
Rasguños por la luz de intensidad alta 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer
Microprocesador del borde Ninguno 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno
Contaminación por la luz de intensidad alta Ninguno
Del grado oblea simulada del substrato sic diámetro 150m m 4H-N de 6 pulgadas 500 milímetros de grueso
Porque el cristal del tamaño 6inch crece dificultades técnicas de los &process (traslapados y que pulen), apenas podemos proporcionar el grado simulado 6inch como los productos comunes en 30days y producciones califican solamente la necesidad ser reservado para 90days. 
 
Sobre nuestra compañía
El COMERCIO FAMOSO CO., LTD. de SHANGAI localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica se funda en la ciudad de Wuxi en 2014.
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y el vidrio óptico custiomized parts.components ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D.
Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes al lado de nuestros buenos reputatiaons.
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