| Nombre De La Marca: | zmsh |
| Número De Modelo: | 6inch-001 |
| MOQ: | 1pcs |
| Precio: | by case by FOB |
| Tiempo De Entrega: | dentro de 40days |
6inch sic substratos, 6inch sic obleas, lingotes sic cristalinos,
bloque sic cristalino, sic substratos del semiconductor, oblea del carburo de silicio
| 6 pulgada de diámetro, especificación del substrato del carburo de silicio (sic) | ||||||||
| Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||||
| Diámetro | 150,0 mm±0.2mm | |||||||
| ThicknessΔ | 350 μm±25μm o 500±25un | |||||||
| Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia< 1120=""> ±0.5° para el eje de 4 H-N On: <0001> ±0.5° para 6H-SI/4H-SI | |||||||
| Plano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||
| Longitud plana primaria | 47,5 mm±2.5 milímetro | |||||||
| Exclusión del borde | 3 milímetros | |||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | |||||||
| Densidad de Micropipe | cm2s ≤1 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤100 | ||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | |||||||
| CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||
| Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | |||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | |||||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | El area≤2% acumulativo | El area≤5% acumulativo | |||||
| Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |||||
| Microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | |||||
| Contaminación por la luz de intensidad alta | Ninguno | |||||||