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2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector

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2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector

2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector
2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector 2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector

Ampliación de imagen :  2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Número de modelo: 2inch-6h
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 2pcs
Precio: 200usd/pcs by FOB
Detalles de empaquetado: en los casetes de solos envases de la oblea
Tiempo de entrega: Dentro de 15days
Capacidad de la fuente: 5000e

2 pulgadas 6H - semi bajo consumo de energía de la oblea del carburo de silicio para el detector

descripción
Materiales: cristal sic solo industria: oblea de semiconductor,
Aplicaciones: dispositivo, oblea epi-lista, 5G, electrónica de poder, detector, color: verde, azul, blanco
Personalizado: AUTORIZACIÓN Tipo: 6H-N
Alta luz:

sic oblea

,

sic substrato

oblea de 2inch 6H-Semi sic, sic sic modificados para requisitos particulares substratos, obleas de 2inch 6H-N, lingotes sic cristalinos, oblea del carburo de silicio

 

Sobre de silicio del carburo cristal sic
  1.    Advantagement
  2. • Unión mal hecha baja del enrejado
  3. • Alta conductividad termal
  4. • Bajo consumo de energía
  5. • Características transitorias excelentes
  6. • Alto hueco de banda

 

Áreas de aplicación

  • 1 diodo de Schottky de los dispositivos electrónicos el de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN,
  •     diodos, IGBT, MOSFET
  • 2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED 

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

 

Propiedad 4H-SiC, solo cristal 6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción

ningunos = 2,61

ne = 2,66

ningunos = 2,60

ne = 2,65

Constante dieléctrica c~9.66 c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conductividad termal (semiaislante)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Banda-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo eléctrico de la avería los 3-5×106V/cm los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

Espec. estándar.

 

especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic)  
Grado Grado cero de MPD Grado de la producción Grado de la investigación Grado simulado  
 
Diámetro 50,8 mm±0.2mm  
 
Grueso 330 μm±25μm o 430±25um  
 
Orientación de la oblea De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001>±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Densidad de Micropipe cm2s ≤0 cm2s ≤5 cm2s ≤15 cm2s ≤100  
 
Resistencia 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm  
 
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm  
 
Plano primario {10-10} ±5.0°  
 
Longitud plana primaria 18,5 mm±2.0 milímetro  
 
Longitud plana secundaria 10.0mm±2.0 milímetro  
 
Orientación plana secundaria Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero  
 
Exclusión del borde 1 milímetro  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Aspereza Ra≤1 polaco nanómetro  
 
CMP Ra≤0.5 nanómetro  
 
Grietas por la luz de intensidad alta Ninguno 1 permitida, ≤2 milímetro ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud  
 
 
Placas del hex. por la luz de intensidad alta Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤3%  
 
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta Ninguno Área acumulativa el ≤2% Área acumulativa el ≤5%  
 
 
Rasguños por la luz de intensidad alta 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer  
 
 
microprocesador del borde Ninguno 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno  
 

 

 

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La poder de ZMKJ proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en pulgada del diámetro 2-6, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

 

 

Embalaje y entrega

 

>Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.

¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o casete 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados.

 

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona de Contacto: Wang

Teléfono: +8615801942596

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