Hogar
>
PRODUCTOS
>
Sic substrato
>
|
| Lugar de origen | China |
| Nombre de la marca | zmsh |
| Número de modelo | 2inch-6h |
oblea de 2inch 6H-Semi sic, sic sic modificados para requisitos particulares substratos, obleas de 2inch 6H-N, lingotes sic cristalinos, oblea del carburo de silicio
Áreas de aplicación
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Propiedad | 4H-SiC, solo cristal | 6H-SiC, solo cristal |
| Parámetros del enrejado | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 ne = 2,66 |
ningunos = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dieléctrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Banda-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo eléctrico de la avería | los 3-5×106V/cm | los 3-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de la saturación | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Espec. estándar.
| especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 2inch (sic) | ||||||||||
| Grado | Grado cero de MPD | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||||||
| Diámetro | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
| Grueso | 330 μm±25μm o 430±25um | |||||||||
| Orientación de la oblea | De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001>±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidad de Micropipe | cm2s ≤0 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | cm2s ≤100 | ||||||
| Resistencia | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Plano primario | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Longitud plana primaria | 18,5 mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Longitud plana secundaria | 10.0mm±2.0 milímetro | |||||||||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero | |||||||||
| Exclusión del borde | 1 milímetro | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Aspereza | Ra≤1 polaco nanómetro | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nanómetro | ||||||||||
| Grietas por la luz de intensidad alta | Ninguno | 1 permitida, ≤2 milímetro | ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud | |||||||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤1% | Área acumulativa el ≤3% | |||||||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta | Ninguno | Área acumulativa el ≤2% | Área acumulativa el ≤5% | |||||||
| Rasguños por la luz de intensidad alta | 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer | |||||||
| microprocesador del borde | Ninguno | 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | |||||||
La poder de ZMKJ proporciona la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en pulgada del diámetro 2-6, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
Embalaje y entrega
>Empaquetado – Logistcs
nos referimos a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.
¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado! Casi por los solos casetes de la oblea o casete 25pcs en sitio de limpieza de 100 grados.
Éntrenos en contacto con en cualquier momento
