2023-08-21
Sic el carburo de silicio es un material del semiconductor compuesto integrado por elementos del carbono y del silicio, que es uno de los materiales ideales para hacer los dispositivos des alta temperatura, de alta frecuencia, de alta potencia, y de alto voltaje.
Comparado a los materiales tradicionales del silicio (Si), la anchura del bandgap del carburo de silicio (sic) es tres veces que del silicio; La conductividad termal es 4-5 veces que del silicio; El voltaje de avería es 8-10 veces que del silicio; La tarifa de la deriva de la saturación del electrón es 2-3 veces que del silicio.
Las ventajas de la base de las materias primas del carburo de silicio se reflejan adentro:
1) características de resistencia de alto voltaje: un bandgap más de baja impedancia, más ancho, capaces de soportar corrientes y voltajes más grandes, dando por resultado diseños de producto más pequeños y una eficacia más alta;
2) características de resistencia de alta frecuencia: Sic los dispositivos no tienen arrastrarse actual durante el proceso del cierre, que puede mejorar con eficacia la velocidad que cambia del componente (aproximadamente 3-10 veces que del Si), conveniente para frecuencias más altas y velocidades que cambian más rápidas;
3) resistencia da alta temperatura: Sic tiene conductividad termal más alta comparada al silicio y puede actuar en temperaturas más altas.
Desde la perspectiva de flujo de proceso; Sic el polvo experimenta la cristalización, el proceso, cortar, el pulido, el pulido, y procesos de limpieza de formar en última instancia un substrato. El substrato experimenta crecimiento epitaxial para obtener una oblea epitaxial. Las obleas epitaxiales se fabrican en los dispositivos con pasos tales como fotolitografía, aguafuerte, implantación de ion, y deposición.
Corte la oblea en dados, paquete los dispositivos, y móntelos en los módulos en una cubierta especial. La cadena industrial incluye el dispositivo por aguas arriba del substrato y epitaxial, del centro de la corriente y la fabricación del módulo, y usos terminales rio abajo.
Los dispositivos de poder hicieron del carburo de silicio se dividen en dos categorías basadas en sus diferencias eléctricas del funcionamiento, y son ampliamente utilizados en campos tales como nuevos vehículos de la energía, producción de energía fotovoltaica, tránsito del carril, y comunicación 5G. Según las diversas propiedades eléctricas, los dispositivos hicieron de los materiales del carburo de silicio se dividen en los dispositivos de poder conductores del carburo de silicio y los dispositivos semi aisladores del carburo de silicio, con diversos campos terminales del uso para los dos tipos de dispositivos del carburo de silicio.
Los dispositivos de poder conductores del carburo de silicio son hechos principalmente por capas epitaxiales cada vez mayor del carburo de silicio en los substratos conductores, obteniendo las obleas epitaxiales del carburo de silicio y la transformación posterior de ellas. Las variedades incluyen los diodos de Schottky, los MOSFETs, IGBTs, el etc. Se utilizan principalmente en la construcción de la infraestructura tal como vehículos eléctricos, producción de energía fotovoltaica, tránsito del carril, centros de datos, y carga.
El carburo de silicio semi aislador basó los radioinstrumentos es hecho por capas epitaxiales cada vez mayor del nitruro del galio en los substratos semi aisladores del carburo de silicio para obtener las obleas epitaxiales basadas del nitruro del galio del carburo de silicio. Estos dispositivos incluyen el HEMT y otros radioinstrumentos del nitruro del galio, usados principalmente para la comunicación 5G, la comunicación del vehículo, los usos de la defensa nacional, la transmisión de datos, y aeroespacial.
Éntrenos en contacto con en cualquier momento
