3inch 4inch 6Inch 900 campo común de la película fina Y-42° de LT LN del nanómetro

Las películas finas LiTaO3 fueron preparadas por la capa de la vuelta de solución sol-gel polimerizada del precursor. Las películas se han depositado en el solo substrato de silicio cristalino, Ti/Pt o SiO2 cubrió el substrato de silicio. Las películas fueron caracterizadas por las medidas de la difracción de radiografía, dieléctricas y pyroelectric. Alta temperatura de curie (sobre el °C) 550 fue asumido para las películas finas LiTaO3 de la dependencia de la temperatura de la constante dieléctrica. El reemplazo del 35% de tantalio por los átomos del titanio en la solución del precursor LiTaO3 ha resultado las películas finas con la temperatura de curie de 330 °C. La temperatura de curie más baja lleva al coeficiente pyroelectric más grande en la temperatura ambiente, que es más que doble el de las películas finas sin impurificar LiTaO3. El dieléctrico, los pyroelectric, y las propiedades ferroeléctricas se han comparado al solo LiTaO3 cristalino y al Li0.91Ta0.73Ti0.36O3 de cerámica. Las películas finas LiTaO3 están disponibles por proceso sol-gel en la baja temperatura, y sus propiedades pueden ser controladas posiblemente variando la composición de la solución sol-gel del precursor.