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óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio del grueso de 0.5m m Crystal Substrate
  • óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio del grueso de 0.5m m Crystal Substrate
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óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio del grueso de 0.5m m Crystal Substrate

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmsh
Certificación no
Número de modelo ZNO
Detalles del producto
Material:
Solos substratos cristalinos de ZnO
Industria:
oblea del semicondutor
Uso:
el substrato del semiconductor, llevó el microprocesador, ventana de cristal óptica, substratos del
Método:
vFG
Tamaño:
5x5m m
Grueso:
0.5m m
Alta luz: 

ZnO solo Crystal Substrate

,

oblea del arseniuro de galio de 0.5m m

,

Oblea Crystal Substrate del arseniuro de galio

Descripción de producto

Substratos de ZnO, pequeña oblea cuadrada del óxido de cinc de 5X5m m, substratos en diversas orientaciones, solo cristal de 5x5m m ZnO de ZnO.

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El óxido de cinc (ZnO) se puede crecer como solo semiconductor cristalino con las propiedades muy interesantes.

El bandgap está en la gama de 3,4 eV que hace atractivo para muchos de los usos azules y violetas

en optoelectrónica así como dispositivos ULTRAVIOLETA. Está disponible en bultos, en las obleas de hasta 2 pulgadas,

cuál le da una ventaja importante sobre el nitruro del galio y otros nitruros del grupo III.
ZnO también tiene el potencial para convertirse en el material del substrato de la opción para GaN. Como GaN tiene una estructura de wurzita, con los constantes del enrejado hechos juego de cerca a GaN (a=3.249, c=5.205). ZnO está exactamente

el enrejado hizo juego a InGaN con un 22% en contenido. Quizás lo que es más importante es un material obediente suave

eso se cree a probablemente y puede tomar la tensión del enrejado preferentemente a la capa cada vez mayor de GaN.

Sufre de la desventaja que disocia en amoníaco en las temperaturas sobre 600°C. Con su bandgap ancho, el óxido de cinc podía probar muy útil en usos ópticos así como mucho electrónica de alta velocidad.

ZnO se puede también utilizar como substrato para el crecimiento epitaxial.

 

Uso:

Descripción cristalina del substrateProduct del óxido de cinc (ZnO): El substrato cristalino del óxido de cinc (ZnO) es ampliamente utilizado adentro

Substrato epitaxial de GaN (LED azul), dispositivos de conexión de la banda amplia y otros campos. Parámetros técnicos

óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio del grueso de 0.5m m Crystal Substrate 0

Propiedades generales

Pureza % peso > 99,99
Impureza: % peso Magnesio: <>
  FE: < 0="">
Crystal Structure Hexagonal: å del a= 3,252, c = å 5,207
Método del crecimiento Hidrotérmico
Dureza escala de 4 moh
Densidad 5,7 g/cm3
Punto del derretimiento Oc 1975
Calor específico 0,125 cal/gm
Constante termoeléctrico 1200 milivoltio /oK @ 300 Oc
Conductividad termal 0,006 autorizaciones de cal/cm/
Extensión termal 2,90 x 10-6/oK
Alcance de transmisión 0.4 - 0,6 m el > 50% en 2 milímetros
Densidad de dislocación <0001> avión <100>2
 

Especificaciones para la oblea

 
Orientación  <11-20>± 0,5o u orientación de encargo
Superficie pulida EPI pulió en un lado, Ra < 5="">
Tamaño estándar 5 x 5 milímetros
Grueso 0,5 milímetros

 

óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio del grueso de 0.5m m Crystal Substrate 1óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio del grueso de 0.5m m Crystal Substrate 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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Depende de cantidad y de técnicas

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Empaquetado – Logistcs
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¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado!

óxido de cinc de la oblea del arseniuro de galio del grueso de 0.5m m Crystal Substrate 3

 

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