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Sic substrato
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| Lugar de origen | China |
| Nombre de la marca | tankblue |
| Certificación | CE |
| Número de modelo | 4h-n |
grado primero simulado de la producción de las obleas de 4inch 6inch 8inch 4H-N sic para SBD MOS Device, grado de la producción de la oblea de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate para los dispositivos de la radiofrecuencia
Sic característica
Sic (carburo de silicio) está un material compuesto consiste en el silicio (Si) y el carbono (c), que tiene alta dureza y resistencia térmica, y es químicamente estable.
Pues tiene un bandgap ancho, el uso al material del semiconductor está consiguiendo promovido.
Con la alta exactitud y el alto sistema de pulido rígido de nuestra amoladora del borde, el final liso se puede alcanzar incluso con sic la oblea que es difícil cortar el material.
Comparación de los materiales de tercera generación del semiconductor
Sic cristalino es un material de tercera generación del semiconductor, que tiene grandes ventajas en de baja potencia, los escenarios de la miniaturización, de alto voltaje y de alta frecuencia del uso. Los materiales de tercera generación del semiconductor son representados por el carburo de silicio y el nitruro del galio. Comparado con las dos generaciones anteriores de materiales del semiconductor, la ventaja más grande es su anchura banda-libre amplia, que se asegura de que pueda penetrar una fuerza de campo eléctrico más alta y es conveniente para preparar los dispositivos de poder de alto voltaje y de alta frecuencia.
Clasificación
Los substratos del carburo de silicio sic se pueden dividir en dos categorías: substratos semi-aislados del carburo de silicio (la O.N.U-dopend de la pureza elevada y 4H-SEMI V-dopado) con la alta resistencia (resistorivity ≥107Ω·cm), y substratos conductores del carburo de silicio con resistencia baja (la gama de la resistencia es 15-30mΩ·cm).
Uso
Especificación para las obleas de 8inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, sic oblea 8inch también está disponible)
Cadena industrial
La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.
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Por qué elija a la compañía de ZMSH
La tecnología de ZMSH puede proveer de clientes sic importada y nacional conductor de alta calidad, 2-6inch semiaislantes y los substratos de HPSI (pureza elevada semiaislante) en lotes; Además, puede proveer de clientes las hojas epitaxiales homogéneas y heterogéneas del carburo de silicio, y puede también ser modificada para requisitos particulares según las necesidades específicas de clientes, sin cantidad de orden mínima.
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