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De 4 H-N Production Grade Dummy del grado oblea 8inch Dia200mm del substrato sic
  • De 4 H-N Production Grade Dummy del grado oblea 8inch Dia200mm del substrato sic
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De 4 H-N Production Grade Dummy del grado oblea 8inch Dia200mm del substrato sic

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmkj
Certificación rohs
Número de modelo 4h-n
Detalles del producto
Material:
sic cristalino
industria:
oblea de semiconductor
uso:
semiconductor, llevado, dispositivo, electrónica de poder, 5G
Color:
Azul, verde, blanco
Tipo:
4h-n
Grado:
Producción/investigación/grado simulado
Grueso:
500um
Superficie:
DSP
Alta luz: 

oblea del substrato de 200m m sic

,

Del grado obleas simuladas sic

,

La producción califica sic la oblea del substrato

Descripción de producto

de 8inch dia200mm 4 H-N Production del grado del grado obleas simuladas sic

 

De la producción del grado del grado substratos SIMULADOS sic, substratos del carburo de silicio para un dispositivo de semiconductor,

 

Áreas de aplicación

 

1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado,

 

  JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET

 

2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED

 

Advantagement

• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda

 

 

Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

 
Nombre de producto: Substrato cristalino del carburo de silicio (sic)
Descripción de producto: 2-6inch
Parámetros técnicos:
Estructura de célula Hexagonal
Enreje constante = 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioridades ABCACB (6H)
Método del crecimiento MOCVD
Dirección Eje de crecimiento o (° parcial 0001) 3,5
Polaco Pulido de la superficie del Si
Bandgap eV 2,93 (indirecto)
Tipo de la conductividad N o seimi, pureza elevada
Resistencia 0,076 ohmio-cm
Permitividad e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Conductividad termal @ 300K 5 con el cm. K
Dureza 9,2 Mohs
Especificaciones: 6H N-tipo N-tipo dia2 semiaislante “x0.33mm, dia2” x0.43mm, dia2 ' x1mmt, tiro de 10x10m m, de 10x5m m solo o tiro doble, Ra de 4H <10a>
Empaquetado estándar: bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja

 

2. los substratos clasifican de estándar

 

     

especificación del substrato del carburo de silicio del diámetro 8inch (sic)

Grado   Grado de la producción Grado de la investigación Grado simulado
Diámetro 200,0 mm±0.5 milímetro
Grueso el grueso 500 μm±25μm (o 1000um también puede ser producción customzied)
Orientación de la oblea De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N
Densidad de Micropipe   cm2s ≤2 ≤10cm-2 cm2s ≤50
Resistencia 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm
   
   
Plano primario y longitud {1-100} ±5.0°, muesca
Longitud plana secundaria  ningunos
Orientación plana secundaria Ninguno
Exclusión del borde 3 milímetros
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤25μm/≤30μm//≤15μm/≤45μm/≤50μm//   ≤20μm/≤65μm/≤70μm
Aspereza Ra≤5 polaco nanómetro, CMP Ra≤0.5 nanómetro
Grietas por la luz de intensidad alta Ninguno 1 permitida, ≤2 milímetro N/A
Placas del hex. por la luz de intensidad alta Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤3%
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta Ninguno Área acumulativa el ≤10% Área acumulativa el ≤30%
Rasguños por la luz de intensidad alta 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer
microprocesador del borde Ninguno 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno
Contaminación por la luz de intensidad alta Ninguno

Sic la oblea y los lingotes 2-6inch y el otro tamaño modificado para requisitos particulares   también puede ser proporcionado.

 

 

3.Pictures de los productos de la entrega antes

De 4 H-N Production Grade Dummy del grado oblea 8inch Dia200mm del substrato sic 0

De 4 H-N Production Grade Dummy del grado oblea 8inch Dia200mm del substrato sic 1

 

 

FAQ

Q: ¿Cuáles son sus productos principales?

: obleas de semiconductor y lente óptica, espejos, ventanas, filtros, prismas

Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?

: En plazo de expedición general está cerca de un mes para la acción producida de encargo de optics.except unas o una cierta óptica especial.

Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?

: Podemos proporcionar muestras libres si tenemos óptica comunes como su petición, mientras que las muestras producidas de encargo no están libres.

Q: ¿Cuál es su MOQ?

MOQ es 10pcs para la mayor parte de la oblea o la lente, mientras que MOQ podría ser solamente de una pieza si usted necesita un elemento en la dimensión grande.

Q: ¿Cuál es sus términos del pago?

T/T, L/C, VISA, Paypal, Alipay o negociación.

 

 

 

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Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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