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Oblea derecha libre GaN Substrates 4inch del nitruro del galio de HVPE
  • Oblea derecha libre GaN Substrates 4inch del nitruro del galio de HVPE
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Oblea derecha libre GaN Substrates 4inch del nitruro del galio de HVPE

Lugar de origen CHINA
Nombre de la marca zmsh
Certificación ROHS
Número de modelo Substrato de GaN
Detalles del producto
Material:
Sola oblea cristalina del epi de GaN
industria:
Oblea de semiconductor, LED
uso:
dispositivo de semiconductor, oblea del LD, oblea del LED, detector del explorador, laser,
Tipo:
N-tipo libre-stading GaN
Modificado para requisitos particulares:
AUTORIZACIÓN
Tamaño:
2inchx0.35mmt común
Grueso:
450±50um
Droga:
Si-dopado
PID:
<30>
Alta luz: 

Oblea derecha libre del nitruro del galio

,

HVPE GaN Substrates

,

oblea del nitruro del galio 4inch

Descripción de producto

oblea de GaN del nitruro del galio del método de 4inch HVPE, substratos libres para el applicaion del LED, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de la situación de HVPE GaN

 

Alrededor GaN-en-GaN característica introduzca

Los dispositivos de poder verticales de GaN tienen el potencial para revolucionar la industria del dispositivo de poder, especialmente en usos con requisitos de alto voltaje, tales como dispositivos verticales de GaN sobre 600 V. dependiendo de las propiedades físicas del material, los dispositivos de GaN tienen en-resistencia más baja en un voltaje de avería dado que los dispositivos de poder silicio-basados tradicionales y los dispositivos de poder puros emergentes del carburo de silicio. Los dispositivos de poder horizontales de GaN, es decir altos transistores de la movilidad del GaN-en-silicio (HEMTs), compiten con los dispositivos del silicio en el mercado de baja tensión, y GaN es superior, que también prueba la superioridad de los materiales de GaN.
Se espera que los dispositivos de poder verticales de GaN compitan con los dispositivos de poder puros del carburo de silicio en el mercado de alto voltaje. En los primeros dos años, sic los dispositivos han ganado cierta cuota de mercado en el mercado de alto voltaje del uso, y algunas compañías han ampliado la producción de 6 pulgadas y de 8 pulgadas sic. En cambio, los dispositivos verticales de GaN no son todavía disponibles en el comercio, y muy pocos proveedores pueden crecer 4 obleas de GaN de la pulgada de diámetro. El aumento de la fuente de las obleas de alta calidad de GaN es crítico al desarrollo de los dispositivos verticales de GaN.
Los dispositivos de poder de alto voltaje hicieron del nitruro del galio tienen tres ventajas potenciales:
1. Bajo voltaje de avería dado, la en-resistencia teórica es un orden de magnitud más pequeño. Por lo tanto, menos poder se pierde adentro polariza hacia adelante y el rendimiento energético es más alto.

En segundo lugar, bajo el voltaje y en-resistencia dados de avería, el tamaño del dispositivo fabricado es más pequeño. Cuanto más pequeño es el tamaño del dispositivo, más los dispositivos se pueden hacer de una sola oblea, que reduce el coste. Además, la mayoría de los usos requieren microprocesadores más pequeños.
3. el nitruro del galio tiene una ventaja en la frecuencia de funcionamiento máxima del dispositivo, y la frecuencia es determinada por las propiedades materiales y el diseño del dispositivo. La frecuencia más alta del carburo de silicio está generalmente sobre 1MHz o menos, mientras que los dispositivos de poder hicieron del nitruro del galio pueden trabajar en frecuencias más altas, tales como diez de megaciclo. El funcionamiento en frecuencias más altas es beneficioso para reducir el tamaño de componentes pasivos, de tal modo reduciendo el tamaño, el peso y el coste del sistema de conversión de poder.
Los dispositivos verticales de GaN todavía están en la etapa de la investigación y desarrollo, y la industria todavía no ha alcanzado un consenso en la estructura del dispositivo de poder vertical óptimo de GaN. Las tres estructuras del dispositivo de la corriente principal incluyen el transistor vertical del electrón de la abertura actual (CAVET), el transistor de efecto de campo del foso (FET del foso) y el transistor de efecto de campo de la aleta (FET de la aleta). Todas las estructuras del dispositivo contienen una capa N-dopada baja como la capa de la deriva. Esta capa es muy importante porque el grueso de la capa de la deriva determina el voltaje de avería del dispositivo. Además, la concentración del electrón desempeña un papel en la realización de la en-resistencia más baja teórica. papel importante.

Oblea derecha libre GaN Substrates 4inch del nitruro del galio de HVPE 0

Usos

  1. - Diversos LED: LED blanco, LED violeta, LED ultravioleta, LED azul
  2. - Detección ambiental
  3. Substratos para el crecimiento epitaxial por MOCVD etc
  4. - Diodos láser: LD violeta, LD verde para los proyectores ultra pequeños.
  5. - Dispositivos electrónicos del poder
  6. - Dispositivos electrónicos de alta frecuencia
  7. Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
  8. Almacenamiento de la fecha
  9. Iluminación económica de energía
  10. Dispositivos electrónicos de gran eficacia
  11. Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía
  12. Banda del terahertz de la fuente de luz

Especificaciones para los substratos de GaN para cada grado

           

 

 

4" GaN Substrates
Artículo GAN-FS-n
Tamaño de las dimensiones ± 0.5m m de Ф 100.0m m
Grueso del substrato 450 µm del ± 50
Orientación del substratoC-AXIS (0001) hacia M-AXIS 0.55± 0.15°
PolacoSSP o DSP
MétodoHVPE
ARCO <25um>
TTV <20um>
Aspereza <0>
resistencialos 0.05ohm.cm
DopanteSi
(002) FWHM& (102) FWHM
<100arc>
Cantidad y tamaño máximo de agujeros
y hoyos
23@1000 del grado de la producción um; Grado ≤68@1000 de la investigación um
Grado simulado ≤112@1000 um
Área usable Nivel P el >90%; R el level>80%: El Dlevel>70% (borde y exclusión macra de los defectos)

 

Oblea derecha libre GaN Substrates 4inch del nitruro del galio de HVPE 1Oblea derecha libre GaN Substrates 4inch del nitruro del galio de HVPE 2

 

Nuestros servicios

1. Fabricación y venta directas de la fábrica.

2. Rápidamente, citas exactas.

3. Contéstele en el plazo de 24 horas de trabajo.

4. ODM: El diseño modificado para requisitos particulares está disponible.

 

5. Velocidad y entrega preciosa.

 

FAQ

Q: ¿Hay producto común o estándar?

: Sí, tamaño común como tamaño estándar de like2inch 0.3m m siempre en la acción.

 

Q: ¿Cómo sobre la política de las muestras?

: triste, pero sugiera que usted pueda readquirir un cierto tamaño de 10x10m m para la prueba en primer lugar.

 

Q: ¿Si yo ahora ponen una orden, cuánto tiempo sería antes de que consiguiera entrega?

: el tamaño estándar en existencia en 1weeks se puede expresar después del pago.

 y nuestro término del pago es depósito del 50% e izquierdo antes de entrega.

Oblea derecha libre GaN Substrates 4inch del nitruro del galio de HVPE 3

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Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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