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Sic substrato
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| Lugar de origen | China |
| Nombre de la marca | ZMSH |
| Número de modelo | 4H |
Grado simulado del grado de la producción del substrato de 4H-N 4H-SEMI 2inch 3inch 4inch 6Inch sic para los dispositivos de alta potencia
Substratos del carburo de silicio de la pureza elevada de H, substratos de la pureza elevada 4inch sic, substratos para el semiconductor, substratos para el semconductor, obleas cristalinas sic solas, sic lingotes del carburo de silicio 4inch del carburo de silicio para la gema
Áreas de aplicación
1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED
advantagement
• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda
Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
| Propiedad | 4H-SiC, solo cristal | 6H-SiC, solo cristal |
| Parámetros del enrejado | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente de la extensión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 ne = 2,66 |
ningunos = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dieléctrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| Conductividad termal (semiaislante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Banda-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo eléctrico de la avería | los 3-5×106V/cm | los 3-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de la saturación | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
2. los substratos clasifican del estándar para 6inch
| 6 especificaciones del substrato del carburo de silicio del &Semi de la pulgada de diámetro 4H-N | ||||||||
| PROPIEDAD DEL SUBSTRATO | Grado cero | Grado de la producción | Grado de la investigación | Grado simulado | ||||
| Diámetro | 150 mm-0.05 milímetro | |||||||
| Orientación superficial | de fuera del eje: 4°toward <11-20> ± 0.5° para 4H-N
En eje: <0001> ±0.5°for 4H-SI |
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| Orientación plana primaria |
{10-10} ±5.0° para la muesca 4H-N/para 4H-Semi |
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| Longitud plana primaria | 47,5 milímetros de ± 2,5 milímetros | |||||||
| Grueso 4H-N | STD 350±25um o 500±25um customzied | |||||||
| Grueso 4H-SEMI | 500±25um STD | |||||||
| Borde de la oblea | Chaflán | |||||||
| Densidad de Micropipe para 4H-N | <0> | cm2s de ≤2micropipes/ | cm2s de ≤10 micropipes/ |
cm2s de ≤15 micropipes/
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| Densidad de Micropipe para 4H-SEMI | <1 micropipes=""> | cm2s de ≤5micropipes/ | cm2s de ≤10 micropipes/ | cm2s de ≤20 micropipes/ | ||||
| Áreas de Polytype por la luz de alta intensidad | Ningunos permitieron | área del ≤10% | ||||||
| Resistencia para 4H-N | 0,015 Ω·cm~0.028 Ω·cm | (área el 75%) 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm | ||||||
| Resistencia para 4H-SEMI |
≥1E9 Ω·cm |
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| LTV/TTV/BOW/WARP |
≤3 μm/≤6 μ m/≤30 μm/≤40 μ m |
≤5 μm/≤15 μm/≤40 μm/≤60 μ m |
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Placas del hex. por Ligh de intensidad alta |
Área acumulativa el ≤0.05% |
Área acumulativa el ≤0.1% |
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Contaminación superficial del silicio por la luz de intensidad alta |
NINGUNOS |
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Inclusiones visuales del carbono
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Área acumulativa el ≤0.05% |
≤ acumulativo el3%del área |
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Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta
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NINGUNOS |
El area≤3% acumulativo |
Muestra de la entrega
Los otros servicios que podemos proporcionar
alambre-corte del grueso 1.Customized 2. rebanada modificada para requisitos particulares del microprocesador del tamaño 3. lente cuotomized de la forma
Los otros productos similares que podemos proporcionar
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Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.
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