Substrato de HVPE GaN u oblea de GaN Template EPI para los usos del RF

oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos libres para el applicaion del LED, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de la situación de HVPE GaN

Sobre GaN Feature introduzca

La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta temperatura y altas del manejo de la potencia ha hecho que la industria del semiconductor repiensa la opción de los materiales usados como semiconductores. Por ejemplo,

tan diverso más rápidamente y dispositivos computacionales más pequeños se presentan, el uso del silicio están haciendo difícil sostener la ley de Moore. Pero también en electrónica de poder, la oblea de semiconductor de GaN se crece tan hacia fuera para la necesidad.

Debido a su voltaje de avería único de las características (alto actual máximo, alto, y alta frecuencia que cambia), nitruro GaN del galio es el material único de la opción para solucionar los problemas de energía del futuro. GaN basó sistemas tiene eficacia de mayor potencia, apagones así de reducción, interruptor en una frecuencia más alta, así reduciendo tamaño y el peso.

La tecnología de GaN se utiliza en usos de alta potencia numerosos tales como fuentes industriales, del consumidor y del servidor de alimentación, impulsión solar, de la CA e inversores de UPS, y coches híbridos y eléctricos. Además,

GaN se adapta idealmente para los usos del RF tales como estaciones base, radares y televisión por cable celulares

infraestructura en el establecimiento de una red, sectores del espacio aéreo y de la defensa, gracias a su alta fuerza de la avería, figura de poco ruido y altas linearidades.

Usos

Especificaciones para el grado de GaN Substrates LED