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Oblea del nitruro del galio
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| Lugar de origen | China |
| Nombre de la marca | zmsh |
| Número de modelo | GaN-001 |
oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos derechos libres para el applicaion del LED, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de HVPE GaN
Sobre la característica de GaN introduzca
La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta temperatura y altas del manejo de la potencia hace que la industria del semiconductor del madethe repiense la opción de los materiales usados como semiconductores. Por ejemplo,
mientras que se presentan los diversos dispositivos computacionales más rápidos y más pequeños, el uso del silicio está haciendo difícil sostener la ley de Moore. Pero también en oblea de la electrónica de poder, así que de semiconductor de GaN se crece hacia fuera para la necesidad.
Debido a su voltaje de avería único de las características (alto actual máximo, alto, y alta frecuencia que cambia), nitruro GaN del galio es el material único de la opción para solucionar los problemas de energía del futuro. GaN basó sistemas tiene eficacia de mayor potencia, los apagones así de reducción, cambian en una frecuencia más alta, así reduciendo tamaño y el peso.
La tecnología de GaN se utiliza en usos de alta potencia numerosos tales como fuentes industriales, del consumidor y del servidor de alimentación, impulsión solar, de la CA e inversores de UPS, y coches híbridos y eléctricos. Además,
GaN se adapta idealmente para los usos del RF tales como estaciones base, radares y televisión por cable celulares
infraestructura en el establecimiento de una red, sectores del espacio aéreo y de la defensa, gracias a su alta fuerza de la avería, figura de poco ruido y altas linearidades.
Usos
Especificaciones para el grado de los substratos LED de GaN
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2" substratos de GaN | |
| Artículo | GAN-FS-n | |
| Dimensiones | ± 1m m de Ф 50.8m m | |
| Densidad del defecto de Marco | ||
| Nivel de C | > 2 cm-2 | |
| Grueso | 330 µm del ± 25 | |
| Orientación | ± 0.5° de C-AXIS (0001) | |
| Orientación plana | ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0m m | |
| Orientación secundaria plana | ± 3°, 8,0 ± 1.0m m (de 11-20) | |
| TTV (variación total del grueso) | µm ≤15 | |
| ARCO | µm ≤20 | |
| Tipo de la conducción | N-tipo | |
| Resistencia (300K) | < 0=""> | |
| Densidad de dislocación | Menos que 5x106 cm-2 | |
| Superficie usable | > el 90% | |
| Polaco | Superficie delantera: Ra < 0=""> | |
| Superficie trasera: Tierra fina | ||
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno. | |
El quanlity macro del defecto es <30pcs para el campo común de las obleas del grado del LED (15-30pcs)
Nuestros servicios
1. Fabricación y venta directas de la fábrica.
2. Citas rápidas, exactas.
3. Contestación usted en el plazo de 24 horas de trabajo.
4. ODM: El diseño modificado para requisitos particulares está disponible.
5. Velocidad y entrega preciosa.
FAQ
Q: ¿Hay acción o producto estándar?
A: Sí, tamaño común como tamaño estándar de like2inch 0.3m m siempre en la acción.
Q: ¿Cómo sobre la política de las muestras?
A: triste, pero sugiera que usted pueda comprar un poco de parte posterior del tamaño de 10x10m m para la prueba en primer lugar.
Q: ¿Si ahora pongo una orden, cuánto tiempo sería antes de que consiguiera entrega?
A: el tamaño estándar en existencia en 1weeks se puede expresar después del pago.
y nuestro término del pago es depósito del 50% y se fue antes de entrega.
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