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Oblea del carburo de silicio de 3 pulgadas, sic características transitorias excelentes del substrato
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Oblea del carburo de silicio de 3 pulgadas, sic características transitorias excelentes del substrato

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmkj
Número de modelo 4inch--pureza semi elevada
Detalles del producto
material:
sic cristalino
industria:
oblea de semiconductor
uso:
semiconductor, llevado, dispositivo, electrónica de poder, 5G
color:
azul, verde, blanco
tipo:
4H, 6H, DOPADO, ninguna pureza dopada, elevada
Alta luz: 

sic oblea

,

sic substrato

Descripción de producto

3inch sic oblea, substratos del carburo de silicio de la pureza elevada 4H, substratos de la pureza elevada 4inch sic, substratos para el semiconductor, 4inch sic substratos, substratos para el semconductor, obleas cristalinas sic solas, sic lingotes del carburo de silicio 4inch del carburo de silicio para la gema

 

Áreas de aplicación

 

1 diodo de Schottky de los dispositivos electrónicos el de alta frecuencia y del poder más elevado, JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET

 

2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED

 

advantagement

• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda

 

 

Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

 

Propiedad 4H-SiC, solo cristal 6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidad 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción

ningunos = 2,61

ne = 2,66

ningunos = 2,60

ne = 2,65

Constante dieléctrica c~9.66 c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Conductividad termal (semiaislante)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Banda-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo eléctrico de la avería los 3-5×106V/cm los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

2. tamaño de los substratos del estándar

 

3 especificaciones del substrato del carburo de silicio de la pulgada de diámetro 4H
PROPIEDAD DEL SUBSTRATO Ultra grado Grado de la producción Grado de la investigación Grado simulado
Diámetro 76,2 milímetros ±0.38 milímetro
Orientación superficial en-AXIS: {± 0.2° de 0001}; de fuera del eje: 4°toward <11-20> ± 0.5°
Orientación plana primaria <11-20> ̊ del ± 5,0
Orientación plana secundaria 90,0 ̊ CW del ̊ primario del ± 5,0, silicio cara arriba
Longitud plana primaria 22,0 milímetros de ± 2,0 milímetros
Longitud plana secundaria 11,0 milímetros de ± 1.5m m
Borde de la oblea Chaflán
Densidad de Micropipe cm2s de ≤1 micropipes/ cm2s de ≤5 micropipes/ cm2s de ≤10 micropipes/ cm2s de ≤50 micropipes/
Áreas de Polytype por la luz de alta intensidad Ningunos permitieron área del ≤10%
Resistencia 0,015 Ω·cm~0.028 Ω·cm (área el 75%) 0.015Ω·cm~0.028 Ω·cm
Grueso 350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm
TTV μm ≤10 μm ≤15
Arco (valor absoluto) μm ≤15 μm ≤25
Deformación μm ≤35

3.sample 

 

Oblea del carburo de silicio de 3 pulgadas, sic características transitorias excelentes del substrato 0

 

FAQ:

Q: ¿Cuál es la manera de término del envío y del coste y de la paga?

A: (1) nosotros el accept100% T/T por adelantado por DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) si usted tiene su propia cuenta expresa, es grande. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.

La carga está de acuerdo con el acuerdo real.

 

Q: ¿Cuál es su MOQ?

A: (1) para el inventario, el MOQ es 2pcs.

(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 25pcs para arriba.

 

Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?

A: Sí, podemos modificar el material, las especificaciones y la forma para requisitos particulares, tamaño basado en sus necesidades.

 

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

A: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.

(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.

 

 

 

 

 

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Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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