2inch N-tipo P-tipo oblea cristalina simulada de los substratos del INP del fosfuro de indio del grado del grado primario del grueso 350um para el LD
El material del solo cristal del fosfuro de indio es uno de la mayoría del compuesto importante del semiconductor, que es materia prima dominante para el diodo láser del substrato del fosfuro de indio (LD), el diodo electroluminoso (LED), fotodetector en la producción de la comunicación óptica. Esas piezas juegan la información que lanza, el transmitir, amplificando, función de la recepción.
El fosfuro de indio es ideal para los dispositivos de alta frecuencia, como HEMT, HBT y así sucesivamente. Debido a su gran propiedad, es ampliamente utilizado en la comunicación fibroóptica, microonda, onda millietric, antiradiación de las células solares, transistor de la heterounión, la otra tecnología avanzada similar y así sucesivamente. Los métodos de producción principales material cryatal del fosfuro de indio de solo incluyen LEC, LEC mejorado, VCZ/PC-LEC, VGF, VB y así sucesivamente.
Especificación
Artículo | Diámetro | Tipo | concentración que lleva | Movilidad | Resistencia | MPD |
S-INP | 2 | N | (0.8-6) X10^18 | (1.5-3.5) x10^3 | <500 | |
3 | <500 | |||||
4 | <1x10^3 | |||||
FE-INP | 2/3/4 | SI | >1000 | >0.5x10^7 | >5x10^3 | |
Zn-INP | 2/3/4 | P | (0.6-6) X10^18 | 50-70 | <1x10^3 | |
Ningún INP de la droga | 2 | N | <3x10^16 | (3.5-4) x10^3 | <5x10^3 | |
Otro | ||||||
Orientación | (100)/(111) ±0.5° | Llanura | ||||
TTV | Arco | Deformación | ||||
<12um | <12um | ≤15um | ||||
1r del plano | 16±2m m | 22±2m m | 32.5±2.5m m | |||
2o del plano | 8±1m m | 11±2m m | 32.5±2.5m m | |||
Superficie: 1sp o 2sp, 2inch 350±25um, 3inch 600±25um, 4inch 625±25um, o por modificado para requisitos particulares |
muestra
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