Tipo situación libre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm

Lugar de origen CHINA
Nombre de la marca zmkj
Número de modelo GaN-4INCH
Cantidad de orden mínima 1PC
Precio by case
Detalles de empaquetado sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega 2-4weeks
Condiciones de pago L/C, T/T
Datos del producto
Material Solo cristal de GaN Método HVPE
Tamaño 4inch Grueso 450um
Industria LD, llevado, dispositivo del laser, detector, Color Blanco
Paquete solo paquete de la caja del casete de la oblea por la condición del vacío Tipo n-tipo
doping si-dopado o sin impurificar
Alta luz

GaN Gallium Nitride Wafer

,

tipo oblea de n del nitruro del galio

,

Oblea de HVPE gaas

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Descripción de producto

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GaN Applications

 

GaN se puede utilizar para hacer varios tipos de dispositivos; los dispositivos primarios de GaN son LED, diodos láser, electrónica de poder, y radioinstrumentos.

GaN es ideal para el LED debido al bandgap directo del eV 3,4 que está en el espectro ULTRAVIOLETA cercano. GaN se puede alear con el mesón y AlN, que tienen bandgaps de 0,7 eV y del eV 6,2, respectivamente. Por lo tanto, este los sistemas materiales pueden atravesar teóricamente un espectro de energía grande para el dispositivo luminescente. En práctica real, la eficacia es la más alta para los dispositivos y las disminuciones azules de InGaN para el alto contenido InGaN del indio o para los emisores de AlGaN. El espectro ULTRAVIOLETA y azul cercano es óptimo para hacer los emisores blancos con los fósforos, y esta tecnología ha sido responsable de los aumentos de la eficiencia notables en la iluminación desde los años 90 en que los LED han comenzado a substituir fuentes de luz tradicionales.

 

Los diodos láser, generalmente con la emisión azul, se pueden hacer usando GaN. Estos dispositivos se utilizan para las exhibiciones y una cierta especialidad biomédicas, corte, y los usos científicos. Los diodos láser se pueden también utilizar para hacer los dispositivos luminescentes blancos con los fósforos. Comparado al LED, la luz blanca del diodo láser puede alcanzar una misma densidad de poder más elevado y una alta direccionalidad.

 

Para la electrónica de poder, los dispositivos GaN-basados pueden alcanzar altas velocidades que cambian, densidad de poder más elevado, y pérdidas de energía baja dando por resultado productos de conversión más eficientes, más pequeños, y más ligeros de poder. Hay usos numerosos para la electrónica de poder GaN-basada incluyendo los vehículos eléctricos, los inversores de la energía solar y eólica, los reguladores industriales del motor, los centros de datos, y los productos electrónicos de consumo.

 

los radioinstrumentos GaN-basados poseen muchas de las mismas ventajas de la electrónica de poder de GaN, y pueden tener acceso además a una frecuencia más alta que los semiconductores tradicionales. Los radioinstrumentos se utilizan para la calefacción, el radar, y las telecomunicaciones industriales. GaN es especialmente ventajoso para la densidad de poder más elevado por ejemplo para estaciones base celulares.

 

Tecnología de HVPE

La epitaxia de la fase de vapor del hidruro (HVPE) es un proceso que puede producir solo GaN cristalino. Se utiliza para el crecimiento de los substratos de GaN debido a la tarifa de elevado crecimiento y de alta calidad que puede ser lograda. En este proceso, el gas del ácido clorhídrico se reacciona con el metal líquido del galio, que forma el gas de GaCl. Entonces el GaCl reacciona con el °C 1.000 del gas del ₃ del NH aproximadamente para formar el cristal sólido de GaN. Eta Research ha desarrollado nuestro propio equipo de HVPE con la meta para escalar rentable la producción de obleas de GaN.

 

Actualmente, la gran mayoría de dispositivos GaN-basados utiliza los substratos extranjeros tales como ₃ del ₂ O del Al y Si. Aunque los substratos extranjeros sean buenos para algunos usos, el material disímil hace defectos ser puesto en las capas del dispositivo de GaN mientras que se deposita el material. Los defectos pueden reducir el funcionamiento.

 

Los substratos de GaN, especialmente con densidad baja del defecto, ofrecen la mejor opción para la deposición de las capas del dispositivo de GaN. El uso de los substratos de GaN mejorará la eficacia, la densidad de poder, y la otra métrica del funcionamiento de los dispositivos de GaN.

 

Especificaciones:

 
Artículo GAN-FS-n
Dimensiones ± 1m m de Ф 100m m
Marco Defect Density Un nivel ≤ 2 cm2s
Nivel de B > 2 cm2s
Grueso 450 µm del ± 25
Orientación ± 0.5° de C-AXIS (0001)
Plano de la orientación ± 0.5°, 32,0 ± 1.0m m (de 1-100)
Plano secundario de la orientación ± 3°, (de 11-20) ± 18,0 1.0m m
TTV (variación total del grueso) µm ≤30
ARCO µm ≤30
Tipo de la conducción N-tipo
Resistencia (300K) < 0="">
Densidad de dislocación Menos que los cm2s 5x106
Superficie usable > el 90%
Polaco

Front Surface: Ra < 0="">

Superficie trasera: Tierra fina

Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

Tipo situación libre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm 0Tipo situación libre HVPE GaN Gallium Nitride Wafer de N de 4inch Dia100mm 1

 

 

2. Nuestra empresa Vision

proporcionaremos el substrato de alta calidad de GaN y la tecnología del uso para la industria.

GaNmaterial de alta calidad es el factor de refrenamiento para el uso de los III-nitruros, e.g larga vida y alta estabilidad LDs, poder más elevado y altos dispositivos de la microonda de la confiabilidad, alto brillo y eficacia alta, LED ahorro de energía.

 

 

 

- FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
(2) si usted tiene su propio número expreso, es grande.
Si no, podríamos ayudarle para entregar. Freight=USD25.0 (el primer peso) + USD12.0/kg

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.

Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T, Paypal, unión del oeste, MoneyGram, pago seguro y garantía comercial.

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 1pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 5pcs-10pcs.
Depende de cantidad y de técnicas.

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Podemos suministrar informe de ROHS y alcanzar los informes para nuestros productos.