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Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro
  • Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro
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Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmkj
Número de modelo 2inch AlN
Detalles del producto
Material:
AlN en la oblea
Método:
HVPE
Tamaño:
2 pulgadas
grueso:
430+15um
Industria:
LD, llevado, dispositivo del laser, detector,
Superficie:
DSP
Alta luz: 

plantilla gan

,

plantilla del aln

Descripción de producto

plantilla de 2inch AlN en el zafiro o sic los substratos, oblea del nitruro del galio de HVPE, substratos de AlN en GaN

Plantilla de 2INCH AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro

 

Ofrecemos los substratos monocristalinos de AlN en la plantilla del zafiro del c-avión, que llamó la oblea de AlN o la plantilla de AlN, para el LED ULTRAVIOLETA, los dispositivos de semiconductor y el crecimiento epitaxial de AlGaN. Nuestros epi-listos, substratos de AlN del C-avión tienen buen XRD FWHM o densidad de dislocación. El grueso disponible es de 30nm a 5um.
Nuestros solos substratos cristalinos del nitruro de aluminio con la dislocación baja tienen extensamente uso: incluyendo LED, los detectores ULTRAVIOLETA, ventanas de los buscadores del IR, crecimiento epitaxial de los III-nitruros, el laser, los transistores del RF y el otro dispositivo de semiconductor.

El ancho de banda prohibido (luminescente y absorción) cubre la luz y el infrarrojo ultravioletas, visibles.
La plantilla de AlN se utiliza para el desarrollo de las estructuras del HEMT, diodos que hacen un túnel resonantes y

dispositivos acoustoelectronic

 Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro 0


Especificaciones:

Plantilla de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN en la oblea del AlN-En-zafiro de la EPI-oblea del zafiro 1

 

  2" plantillas de AlN  
Artículo AlN-T
Dimensiones Ф 2"
Substrato Zafiro, sic, GaN
Grueso 1000nm+/- el 10%
Orientación ± 1° de C-AXIS (0001)
Tipo de la conducción Semiaislante
Densidad de dislocación XRD FWHM de (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM de (10-12) < 1000="" arcsec="">
Superficie usable > el 80%
Polaco Estándar: SSP
Opción: DSP
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.
FAQ

Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?

: Es generalmente 5-10 días si las mercancías están en existencia. o es 15-20 días si las mercancías no están en existencia,

está según cantidad.

Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?

: Sí, lo sentimos para ése que ofrecemos la muestra responsable por el MANDO.

 

Q: ¿Cuál es sus términos del pago?

: Payment=1000USD<>, el 30% T/T por adelantado,

balanza antes del envío.
Si usted tiene otra pregunta, los pls no dude en para entrarnos en contacto con como abajo:

 

Éntrenos en contacto con en cualquier momento

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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